Wafer kelas produksi SiC 8 inci substrat SiC 4H-N
Tabel berikut menunjukkan spesifikasi wafer SiC 8 inci kami:
Spesifikasi DSP SiC tipe N 8 inci | |||||
Nomor | Barang | Satuan | Produksi | Riset | Contoh |
1: parameter | |||||
1.1 | politipe | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2: Parameter listrik | |||||
2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe-n | Nitrogen tipe-n | Nitrogen tipe-n |
2.2 | resistivitas | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3: Parameter mekanis | |||||
3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | ketebalan | m | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Orientasi takik | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3.5 | LTV | m | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
3.6 | TV | m | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Busur | m | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Melengkung | m | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
4: Struktur | |||||
4.1 | kepadatan mikropipa | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Kualitas depan | |||||
5.1 | depan | -- | Si | Si | Si |
5.2 | permukaan akhir | -- | CMP wajah-si | CMP wajah-si | CMP wajah-si |
5.3 | partikel | ea/wafer | ≤100 (ukuran≥0,3μm) | NA | NA |
5.4 | menggores | ea/wafer | ≤5, Panjang Total≤200mm | NA | NA |
5.5 | Tepian keripik/lekukan/retak/noda/kontaminasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
5.6 | Daerah politipe | -- | Tidak ada | Luas ≤10% | Luas ≤30% |
5.7 | penandaan depan | -- | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
6: Kualitas kembali | |||||
6.1 | kembali selesai | -- | Anggota parlemen berwajah C | Anggota parlemen berwajah C | Anggota parlemen berwajah C |
6.2 | menggores | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Tepi cacat punggung chip/indentasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
6.4 | Kekasaran punggung | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Penandaan kembali | -- | Takik | Takik | Takik |
7:tepi | |||||
7.1 | tepian | -- | Talang | Talang | Talang |
8: Paket | |||||
8.1 | kemasan | -- | Epi-siap dengan vakum kemasan | Epi-siap dengan vakum kemasan | Epi-siap dengan vakum kemasan |
8.2 | kemasan | -- | Multi-wafer kemasan kaset | Multi-wafer kemasan kaset | Multi-wafer kemasan kaset |
Diagram Terperinci
Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami