Substrat SiC 4H-N wafer SiC kelas produksi 8 inci
Tabel berikut menunjukkan spesifikasi wafer SiC 8 inci kami:
| Spesifikasi DSP SiC Tipe N 8 inci | |||||
| Nomor | Barang | Satuan | Produksi | Riset | Contoh |
| 1: parameter | |||||
| 1.1 | politipe | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: Parameter listrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe-n | Nitrogen tipe-n | Nitrogen tipe-n |
| 2.2 | resistivitas | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3: Parameter mekanik | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | ketebalan | mikrometer | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takik | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | mikrometer | ≤5 (10mm*10mm) | ≤5 (10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | mikrometer | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Busur | mikrometer | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Melengkung | mikrometer | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4: Struktur | |||||
| 4.1 | kepadatan pipa mikro | masing-masing/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | masing-masing/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Gangguan Kepribadian Ambang (BPD) | masing-masing/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | masing-masing/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualitas bagian depan | |||||
| 5.1 | depan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | lapisan permukaan | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | partikel | ea/wafer | ≤100 (ukuran ≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | menggores | ea/wafer | ≤5, Panjang Total ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Tepian serpihan/penyok/retak/noda/kontaminasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 5.6 | Area polipe | -- | Tidak ada | Luas ≤10% | Luas ≤30% |
| 5.7 | penandaan depan | -- | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
| 6: Kualitas punggung | |||||
| 6.1 | penyelesaian belakang | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | menggores | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Cacat punggung pada tepi retakan/penyok | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 6.4 | Kekasaran punggung | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan belakang | -- | Takik | Takik | Takik |
| 7:tepi | |||||
| 7.1 | tepian | -- | Talang | Talang | Talang |
| 8: Paket | |||||
| 8.1 | kemasan | -- | Siap pakai dengan vakum. kemasan | Siap pakai dengan vakum. kemasan | Siap pakai dengan vakum. kemasan |
| 8.2 | kemasan | -- | Multi-wafer kemasan kaset | Multi-wafer kemasan kaset | Multi-wafer kemasan kaset |
Diagram Terperinci
Produk Terkait
Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami.