GaN-on-Sapphire 6 inci
Wafer lapisan epitaksial galium nitrida GaN 150mm 6 inci pada silikon/safir/SiC
Wafer substrat safir 6 inci adalah material semikonduktor berkualitas tinggi yang terdiri dari lapisan galium nitrida (GaN) yang ditumbuhkan pada substrat safir. Material ini memiliki sifat transportasi elektronik yang sangat baik dan ideal untuk pembuatan perangkat semikonduktor daya tinggi dan frekuensi tinggi.
Metode manufaktur: Proses manufaktur melibatkan penumbuhan lapisan GaN pada substrat safir menggunakan teknik canggih seperti pengendapan uap kimia metal-organik (MOCVD) atau epitaksi berkas molekuler (MBE). Proses pengendapan dilakukan dalam kondisi terkontrol untuk memastikan kualitas kristal yang tinggi dan film yang seragam.
Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: Chip substrat safir 6 inci banyak digunakan dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi nirkabel, dan optoelektronik.
Beberapa aplikasi umum meliputi:
1. Penguat daya RF
2. Industri penerangan LED
3. Peralatan komunikasi jaringan nirkabel
4. Perangkat elektronik di lingkungan suhu tinggi
5. Perangkat optoelektronik
Spesifikasi produk
- Ukuran: Diameter substrat adalah 6 inci (sekitar 150 mm).
- Kualitas permukaan: Permukaan telah dipoles dengan halus untuk memberikan kualitas cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN dapat disesuaikan sesuai dengan kebutuhan spesifik.
- Pengemasan: Substrat dikemas dengan hati-hati menggunakan bahan anti-statis untuk mencegah kerusakan selama pengiriman.
- Tepi penempatan: Substrat memiliki tepi penempatan khusus yang mempermudah penyelarasan dan pengoperasian selama persiapan perangkat.
- Parameter lainnya: Parameter spesifik seperti ketebalan, resistivitas, dan konsentrasi doping dapat disesuaikan sesuai dengan kebutuhan pelanggan.
Dengan sifat material yang unggul dan beragam aplikasinya, wafer substrat safir 6 inci merupakan pilihan yang andal untuk pengembangan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi di berbagai industri.
| Substrat | 6” 1mm <111> silikon tipe-p | 6” 1mm <111> silikon tipe-p |
| Ketebalan Epi Rata-rata | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Busur | +/-45um | +/-45um |
| Retak | <5mm | <5mm |
| Vertikal BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| Ketebalan Rata-rata HEMT | 20-30nm | 20-30nm |
| Tutup SiN Insitu | 5-60nm | 5-60nm |
| Konsentrasi 2DEG. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitas | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Diagram Terperinci
