GaN-On-Sapphire 6 inci
Wafer galium nitrida epitaksial 150mm 6 inci GaN pada wafer Epi-layer silikon/safir/SiC
Wafer substrat safir berukuran 6 inci merupakan material semikonduktor berkualitas tinggi yang terdiri dari lapisan galium nitrida (GaN) yang tumbuh pada substrat safir. Material ini memiliki sifat transportasi elektronik yang sangat baik dan ideal untuk memproduksi perangkat semikonduktor berdaya tinggi dan berfrekuensi tinggi.
Metode produksi: Proses produksi melibatkan penumbuhan lapisan GaN pada substrat safir menggunakan teknik canggih seperti deposisi uap kimia organik-logam (MOCVD) atau epitaksi berkas molekuler (MBE). Proses deposisi dilakukan dalam kondisi terkendali untuk memastikan kualitas kristal tinggi dan lapisan film yang seragam.
Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: Chip substrat safir 6 inci banyak digunakan dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi nirkabel, dan optoelektronik.
Beberapa aplikasi umum meliputi:
1. Penguat daya RF
2. Industri pencahayaan LED
3. Peralatan komunikasi jaringan nirkabel
4. Perangkat elektronik di lingkungan bersuhu tinggi
5. Perangkat optoelektronik
Spesifikasi produk
- Ukuran: Diameter substrat 6 inci (sekitar 150 mm).
- Kualitas permukaan: Permukaan telah dipoles halus untuk menghasilkan kualitas cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN dapat disesuaikan menurut persyaratan spesifik.
- Pengemasan: Substrat dikemas dengan hati-hati dengan bahan anti-statis untuk mencegah kerusakan selama transportasi.
- Tepi pemosisian: Substrat memiliki tepi pemosisian khusus yang memudahkan penyelarasan dan pengoperasian selama persiapan perangkat.
- Parameter lainnya: Parameter khusus seperti ketipisan, resistivitas, dan konsentrasi doping dapat disesuaikan menurut kebutuhan pelanggan.
Dengan sifat materialnya yang unggul dan aplikasi yang beragam, wafer substrat safir berukuran 6 inci merupakan pilihan yang andal untuk pengembangan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi di berbagai industri.
| Substrat | 6” 1mm <111> tipe-p Si | 6” 1mm <111> tipe-p Si |
| Epi TebalRata-rata | ~5um | ~7um |
| Epi TebalUnif | <2% | <2% |
| Busur | +/-45um | +/-45um |
| Retak | <5 mm | <5 mm |
| BV Vertikal | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT TebalRata-rata | 20-30nm | 20-30nm |
| Tutup Insitu SiN | 5-60nm | 5-60nm |
| konsentrasi 2DEG | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitas | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/persegi (<2%) | <330ohm/persegi (<2%) |
Diagram Rinci
