GaN-On-Sapphire 6 inci
GaN 150mm 6 inci pada wafer lapisan Epi Silikon/Safir/SiC Wafer epitaksial Gallium nitrida
Wafer substrat safir berukuran 6 inci adalah bahan semikonduktor berkualitas tinggi yang terdiri dari lapisan galium nitrida (GaN) yang ditanam pada substrat safir. Bahan ini memiliki sifat transportasi elektronik yang sangat baik dan ideal untuk pembuatan perangkat semikonduktor berdaya tinggi dan frekuensi tinggi.
Metode pembuatan: Proses pembuatannya melibatkan pertumbuhan lapisan GaN pada substrat safir menggunakan teknik canggih seperti deposisi uap kimia logam-organik (MOCVD) atau epitaksi berkas molekul (MBE). Proses pengendapan dilakukan dalam kondisi terkendali untuk menjamin kualitas kristal tinggi dan lapisan film seragam.
Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: chip substrat safir 6 inci banyak digunakan dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi nirkabel, dan optoelektronik.
Beberapa aplikasi umum termasuk
1. Penguat daya RF
2. Industri pencahayaan LED
3. Peralatan komunikasi jaringan nirkabel
4. Perangkat elektronik di lingkungan bersuhu tinggi
5. Perangkat optoelektronik
Spesifikasi produk
- Ukuran: Diameter media adalah 6 inci (sekitar 150 mm).
- Kualitas permukaan: Permukaan telah dipoles halus untuk memberikan kualitas cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN dapat disesuaikan sesuai kebutuhan spesifik.
- Pengemasan: Substrat dikemas dengan hati-hati dengan bahan anti-statis untuk mencegah kerusakan selama pengangkutan.
- Tepi pemosisian: Media memiliki tepi pemosisian khusus yang memudahkan penyelarasan dan pengoperasian selama persiapan perangkat.
- Parameter lainnya: Parameter spesifik seperti ketipisan, resistivitas, dan konsentrasi doping dapat disesuaikan sesuai kebutuhan pelanggan.
Dengan sifat material yang unggul dan beragam aplikasi, wafer substrat safir 6 inci adalah pilihan yang dapat diandalkan untuk pengembangan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi di berbagai industri.
| Substrat | 6” 1mm <111> tipe-p Si | 6” 1mm <111> tipe-p Si |
| Epi Tebal Rata-rata | ~5um | ~7um |
| Epi TebalUnif | <2% | <2% |
| Busur | +/-45um | +/-45um |
| Retak | <5mm | <5mm |
| BV Vertikal | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| Rata-rata Tebal HEMT | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| konsentrasi 2DEG. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitas | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rp | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Diagram Terperinci
