GaN-On-Sapphire 6 inci
Wafer epitaksial galium nitrida 150 mm 6 inci GaN pada wafer Epi-layer silikon/safir/SiC
Wafer substrat safir 6 inci merupakan material semikonduktor berkualitas tinggi yang terdiri dari lapisan galium nitrida (GaN) yang tumbuh di atas substrat safir. Material ini memiliki sifat transpor elektronik yang sangat baik dan ideal untuk memproduksi perangkat semikonduktor berdaya tinggi dan frekuensi tinggi.
Metode manufaktur: Proses manufaktur melibatkan penumbuhan lapisan GaN pada substrat safir menggunakan teknik canggih seperti deposisi uap kimia organik-logam (MOCVD) atau epitaksi berkas molekuler (MBE). Proses deposisi dilakukan dalam kondisi terkendali untuk memastikan kualitas kristal yang tinggi dan film yang seragam.
Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: Chip substrat safir 6 inci banyak digunakan dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi nirkabel, dan optoelektronik.
Beberapa aplikasi umum termasuk
1. Penguat daya RF
2. Industri pencahayaan LED
3. Peralatan komunikasi jaringan nirkabel
4. Perangkat elektronik di lingkungan suhu tinggi
5. Perangkat optoelektronik
Spesifikasi produk
- Ukuran: Diameter substrat 6 inci (sekitar 150 mm).
- Kualitas permukaan: Permukaan telah dipoles halus untuk menghasilkan kualitas cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN dapat disesuaikan menurut persyaratan spesifik.
- Pengemasan: Substrat dikemas dengan hati-hati menggunakan bahan anti-statis untuk mencegah kerusakan selama pengangkutan.
- Tepi pemosisian: Substrat memiliki tepi pemosisian khusus yang memudahkan penyelarasan dan pengoperasian selama persiapan perangkat.
- Parameter lainnya: Parameter khusus seperti ketipisan, resistivitas, dan konsentrasi doping dapat disesuaikan menurut kebutuhan pelanggan.
Dengan sifat materialnya yang unggul dan aplikasinya yang beragam, wafer substrat safir 6 inci merupakan pilihan yang andal untuk pengembangan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi di berbagai industri.
| Substrat | 6” 1mm <111> tipe-p Si | 6” 1mm <111> tipe-p Si |
| Epi TebalRata-rata | ~5um | ~7um |
| Epi TebalUnif | <2% | <2% |
| Busur | +/-45um | +/-45um |
| Retak | <5 mm | <5 mm |
| BV Vertikal | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT TebalRata-rata | 20-30nm | 20-30nm |
| Tutup Insitu SiN | 5-60nm | 5-60nm |
| konsentrasi 2DEG | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitas | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/persegi (<2%) | <330ohm/persegi (<2%) |
Diagram Rinci
