150mm 6 inci 0,7mm 0,5mm Pembawa Substrat Wafer Safir C-Plane SSP/DSP
Aplikasi
Aplikasi untuk wafer safir 6 inci meliputi:
1. Pembuatan LED: wafer safir dapat digunakan sebagai substrat chip LED, dan kekerasan serta konduktivitas termalnya dapat meningkatkan stabilitas dan masa pakai chip LED.
2. Pembuatan laser: Wafer safir juga dapat digunakan sebagai substrat laser, untuk membantu meningkatkan kinerja laser dan memperpanjang masa pakai.
3. Manufaktur semikonduktor: Wafer safir banyak digunakan dalam pembuatan perangkat elektronik dan optoelektronik, termasuk sintesis optik, sel surya, perangkat elektronik frekuensi tinggi, dll.
4. Aplikasi lain: Wafer safir juga dapat digunakan untuk memproduksi layar sentuh, perangkat optik, sel surya film tipis dan produk teknologi tinggi lainnya.
Spesifikasi
| Bahan | Wafer safir kristal tunggal Al2O3 dengan kemurnian tinggi. |
| Dimensi | 150 mm +/- 0,05 mm, 6 inci |
| Ketebalan | 1300 +/- 25 mikron |
| Orientasi | Bidang C (0001) dari bidang M (1-100) 0,2 +/- 0,05 derajat |
| Orientasi datar primer | Bidang datar +/- 1 derajat |
| Panjang datar primer | 47,5 mm +/- 1 mm |
| Variasi Ketebalan Total (TTV) | <20 um |
| Busur | <25 um |
| Melengkung | <25 um |
| Koefisien Ekspansi Termal | 6,66 x 10-6 / °C sejajar sumbu C, 5 x 10-6 /°C tegak lurus sumbu C |
| Kekuatan Dielektrik | 4,8 x 105 V/cm |
| Konstanta Dielektrik | 11,5 (1 MHz) sepanjang sumbu C, 9,3 (1 MHz) tegak lurus terhadap sumbu C |
| Tangent Kerugian Dielektrik (alias faktor disipasi) | kurang dari 1 x 10-4 |
| Konduktivitas Termal | 40 W/(mK) pada 20℃ |
| Memoles | Poles satu sisi (SSP) atau poles dua sisi (DSP) Ra < 0,5 nm (dengan AFM). Sisi belakang wafer SSP digiling halus hingga Ra = 0,8 - 1,2 um. |
| Transmisi | 88% +/-1% pada 460 nm |
Diagram Rinci
Produk Terkait
Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami