150mm 6 inci 0,7mm 0,5mm substrat pembawa wafer safir C-Plane SSP/DSP

150mm 6 inci 0,7mm 0,5mm Sapphire Wafer Substrat Pembawa C-Plane SSP/DSP Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Semua hal di atas merupakan deskripsi kristal safir yang benar. Kinerja kristal safir yang sangat baik membuatnya banyak digunakan dalam bidang teknis tingkat tinggi. Dengan pesatnya perkembangan industri LED, permintaan akan material kristal safir juga meningkat.

Kirim email ke kami

Detail Produk

Label Produk

Aplikasi

Aplikasi untuk wafer safir 6 inci meliputi:

1. Pembuatan LED: wafer safir dapat digunakan sebagai substrat chip LED, dan kekerasan serta konduktivitas termalnya dapat meningkatkan stabilitas dan masa pakai chip LED.

2. Pembuatan laser: Wafer safir juga dapat digunakan sebagai substrat laser, untuk membantu meningkatkan kinerja laser dan memperpanjang masa pakai.

3. Manufaktur semikonduktor: Wafer safir banyak digunakan dalam pembuatan perangkat elektronik dan optoelektronik, termasuk sintesis optik, sel surya, perangkat elektronik frekuensi tinggi, dll.

4. Aplikasi lain: Wafer safir juga dapat digunakan untuk memproduksi layar sentuh, perangkat optik, sel surya film tipis, dan produk teknologi tinggi lainnya.

Spesifikasi

Bahan	Kristal tunggal Al2O3 dengan kemurnian tinggi, wafer safir.
Dimensi	150 mm +/- 0,05 mm, 6 inci
Ketebalan	1300 +/- 25um
Orientasi	Bidang C (0001) dari bidang M (1-100) 0,2 +/- 0,05 derajat
Orientasi datar primer	Sebuah bidang +/- 1 derajat
Panjang datar primer	47,5mm +/- 1mm
Variasi Ketebalan Total (TTV)	<20 meter persegi
Busur	<25 meter persegi
Melengkung	<25 meter persegi
Koefisien Ekspansi Termal	6,66 x 10-6 / °C sejajar sumbu C, 5 x 10-6 / °C tegak lurus sumbu C
Kekuatan Dielektrik	4,8 x 105 V/cm
Konstanta Dielektrik	11,5 (1 MHz) sepanjang sumbu C, 9,3 (1 MHz) tegak lurus terhadap sumbu C
Tangent Rugi Dielektrik (alias faktor disipasi)	kurang dari 1x10-4
Konduktivitas Termal	40 W/(mK) pada 20℃
Memoles	polesan sisi tunggal (SSP) atau polesan sisi ganda (DSP) Ra < 0,5 nm (dengan AFM). Sisi belakang wafer SSP digiling halus hingga Ra = 0,8 - 1,2 um.
Transmisi	88% +/-1% pada 460nm