Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci Ketebalan 0,3-50 μm Si/SiC/Safir Bahan

Deskripsi Singkat:

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci merupakan material berkinerja tinggi yang mengintegrasikan film tipis litium niobat (LN) kristal tunggal dengan substrat silikon (Si), dengan ketebalan berkisar antara 0,3 μm hingga 50 μm. Material ini dirancang untuk fabrikasi semikonduktor dan perangkat optoelektronik tingkat lanjut. Dengan memanfaatkan teknik pengikatan atau pertumbuhan epitaksial tingkat lanjut, substrat ini memastikan kualitas kristal film tipis LN yang tinggi sekaligus memanfaatkan ukuran wafer yang besar (6 inci hingga 8 inci) dari substrat silikon untuk meningkatkan efisiensi produksi dan efektivitas biaya.
Dibandingkan dengan material LN curah konvensional, substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci menawarkan pencocokan termal dan stabilitas mekanis yang unggul, sehingga cocok untuk pemrosesan tingkat wafer skala besar. Selain itu, material dasar alternatif seperti SiC atau safir dapat dipilih untuk memenuhi kebutuhan aplikasi spesifik, termasuk perangkat RF frekuensi tinggi, fotonik terintegrasi, dan sensor MEMS.

Kirim email ke kami

Fitur

Parameter teknis

0,3-50μm LN/LT pada Isolator
Lapisan atas
Diameter	6-8 inci
Orientasi	X, Z, Y-42 dll.
Bahan	Letnan, Kiri
Ketebalan	0,3-50 mikrometer
Substrat (Disesuaikan)
Bahan	Si, SiC, Safir, Spinel, Kuarsa

Fitur Utama

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci dibedakan oleh sifat materialnya yang unik dan parameter yang dapat disesuaikan, sehingga memungkinkan penerapan yang luas dalam industri semikonduktor dan optoelektronik:

1. Kompatibilitas Wafer Besar: Ukuran wafer 6 inci hingga 8 inci memastikan integrasi yang mulus dengan lini fabrikasi semikonduktor yang ada (misalnya, proses CMOS), mengurangi biaya produksi dan memungkinkan produksi massal.

2. Kualitas Kristalin Tinggi: Teknik epitaksial atau ikatan yang dioptimalkan memastikan kepadatan cacat yang rendah pada film tipis LN, menjadikannya ideal untuk modulator optik berkinerja tinggi, filter gelombang akustik permukaan (SAW), dan perangkat presisi lainnya.

3. Ketebalan yang Dapat Disesuaikan (0,3–50 μm): Lapisan LN ultratipis (<1 μm) cocok untuk chip fotonik terintegrasi, sementara lapisan yang lebih tebal (10–50 μm) mendukung perangkat RF daya tinggi atau sensor piezoelektrik.

4. Berbagai Pilihan Substrat: Selain Si, SiC (konduktivitas termal tinggi) atau safir (isolasi tinggi) dapat dipilih sebagai bahan dasar untuk memenuhi kebutuhan aplikasi frekuensi tinggi, suhu tinggi, atau daya tinggi.

5.Stabilitas Termal dan Mekanis: Substrat silikon memberikan dukungan mekanis yang kuat, meminimalkan lengkungan atau keretakan selama pemrosesan dan meningkatkan hasil perangkat.

Atribut ini memposisikan substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci sebagai material pilihan untuk teknologi mutakhir seperti komunikasi 5G, LiDAR, dan optik kuantum.

Aplikasi Utama

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci banyak digunakan dalam industri teknologi tinggi karena sifat elektro-optik, piezoelektrik, dan akustiknya yang luar biasa:

1. Komunikasi Optik dan Fotonik Terintegrasi: Memungkinkan modulator elektro-optik berkecepatan tinggi, pemandu gelombang, dan sirkuit terpadu fotonik (PIC), yang memenuhi kebutuhan bandwidth pusat data dan jaringan serat optik.

Perangkat RF 2.5G/6G: Koefisien piezoelektrik LN yang tinggi membuatnya ideal untuk filter gelombang akustik permukaan (SAW) dan gelombang akustik massal (BAW), meningkatkan pemrosesan sinyal di stasiun pangkalan 5G dan perangkat seluler.

3. MEMS dan Sensor: Efek piezoelektrik LN-on-Si memfasilitasi akselerometer sensitivitas tinggi, biosensor, dan transduser ultrasonik untuk aplikasi medis dan industri.

4. Teknologi Kuantum: Sebagai bahan optik nonlinier, film tipis LN digunakan dalam sumber cahaya kuantum (misalnya, pasangan foton terjerat) dan chip kuantum terintegrasi.

5.Laser dan Optik Nonlinier: Lapisan LN yang sangat tipis memungkinkan perangkat pembangkit harmonik kedua (SHG) dan osilasi parametrik optik (OPO) yang efisien untuk pemrosesan laser dan analisis spektroskopi.

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci yang terstandarisasi memungkinkan perangkat ini diproduksi di pabrik wafer berskala besar, sehingga secara signifikan mengurangi biaya produksi.

Kustomisasi dan Layanan

Kami menyediakan dukungan teknis dan layanan kustomisasi yang komprehensif untuk substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci untuk memenuhi beragam kebutuhan R&D dan produksi:

1. Fabrikasi Khusus: Ketebalan film LN (0,3–50 μm), orientasi kristal (potongan X/potongan Y), dan bahan substrat (Si/SiC/safir) dapat disesuaikan untuk mengoptimalkan kinerja perangkat.

2. Pemrosesan Tingkat Wafer: Pasokan massal wafer berukuran 6 inci dan 8 inci, termasuk layanan back-end seperti pemotongan dadu, pemolesan, dan pelapisan, memastikan substrat siap untuk integrasi perangkat.

3. Konsultasi Teknis dan Pengujian: Karakterisasi material (misalnya, XRD, AFM), pengujian kinerja elektro-optik, dan dukungan simulasi perangkat untuk mempercepat validasi desain.

Misi kami adalah untuk membangun substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci sebagai solusi material inti untuk aplikasi optoelektronik dan semikonduktor, yang menawarkan dukungan menyeluruh mulai dari R&D hingga produksi massal.

Kesimpulan

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci, dengan ukuran wafer yang besar, kualitas material yang unggul, dan fleksibilitasnya, mendorong kemajuan dalam komunikasi optik, RF 5G, dan teknologi kuantum. Baik untuk manufaktur bervolume tinggi maupun solusi yang disesuaikan, kami menyediakan substrat yang andal dan layanan pelengkap untuk memberdayakan inovasi teknologi.