Wafer SiC Semi-Isolasi (HPSI) kemurnian tinggi 3 inci 350um Kelas Dummy Kelas prima
Aplikasi
Wafer HPSI SiC sangat penting dalam memungkinkan perangkat daya generasi berikutnya, yang digunakan dalam berbagai aplikasi berkinerja tinggi:
Sistem Konversi Daya: Wafer SiC berfungsi sebagai material inti untuk perangkat daya seperti MOSFET daya, dioda, dan IGBT, yang krusial untuk konversi daya yang efisien dalam rangkaian listrik. Komponen-komponen ini ditemukan dalam catu daya efisiensi tinggi, penggerak motor, dan inverter industri.
Kendaraan Listrik (EV):Meningkatnya permintaan kendaraan listrik mengharuskan penggunaan elektronika daya yang lebih efisien, dan wafer SiC berada di garda terdepan dalam transformasi ini. Pada sistem penggerak kendaraan listrik (EV), wafer ini memberikan efisiensi tinggi dan kemampuan peralihan yang cepat, yang berkontribusi pada waktu pengisian daya yang lebih cepat, jangkauan yang lebih jauh, dan peningkatan performa kendaraan secara keseluruhan.
Energi terbarukan:Dalam sistem energi terbarukan seperti tenaga surya dan angin, wafer SiC digunakan dalam inverter dan konverter yang memungkinkan penangkapan dan penyaluran energi yang lebih efisien. Konduktivitas termal yang tinggi dan tegangan tembus SiC yang unggul memastikan sistem ini beroperasi dengan andal, bahkan dalam kondisi lingkungan ekstrem.
Otomasi Industri dan Robotika:Elektronika daya berkinerja tinggi dalam sistem otomasi industri dan robotika membutuhkan perangkat yang mampu beralih dengan cepat, menangani beban daya besar, dan beroperasi di bawah tekanan tinggi. Semikonduktor berbasis SiC memenuhi persyaratan ini dengan memberikan efisiensi dan ketahanan yang lebih tinggi, bahkan di lingkungan operasi yang keras.
Sistem Telekomunikasi:Dalam infrastruktur telekomunikasi, yang sangat penting bagi keandalan tinggi dan konversi energi yang efisien, wafer SiC digunakan dalam catu daya dan konverter DC-DC. Perangkat SiC membantu mengurangi konsumsi energi dan meningkatkan kinerja sistem di pusat data dan jaringan komunikasi.
Dengan menyediakan fondasi yang kuat untuk aplikasi berdaya tinggi, wafer HPSI SiC memungkinkan pengembangan perangkat hemat energi, membantu industri beralih ke solusi yang lebih ramah lingkungan dan berkelanjutan.
Properti
| operasi | Kelas Produksi | Kelas Penelitian | Kelas Dummy |
| Diameter | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Ketebalan | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Orientasi Wafer | Pada sumbu: <0001> ± 0,5° | Pada sumbu: <0001> ± 2.0° | Pada sumbu: <0001> ± 2.0° |
| Kepadatan Mikropipa untuk 95% Wafer (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistivitas Listrik | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dopan | Tidak didoping | Tidak didoping | Tidak didoping |
| Orientasi Datar Utama | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Panjang Datar Primer | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Panjang Datar Sekunder | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Orientasi Datar Sekunder | Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0° | Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0° | Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0° |
| Pengecualian Tepi | 3 juta | 3 juta | 3 juta |
| LTV/TTV/Busur/Warp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Kekasaran Permukaan | Muka C: Dipoles, Muka Si: CMP | Muka C: Dipoles, Muka Si: CMP | Muka C: Dipoles, Muka Si: CMP |
| Retakan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
| Pelat Hex (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Luas kumulatif 10% |
| Area Politipe (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Luas kumulatif 5% | Luas kumulatif 5% | Luas kumulatif 10% |
| Goresan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | ≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150 mm | ≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 mm | ≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 mm |
| Pemotongan Tepi | Tidak diizinkan lebar dan kedalaman ≥ 0,5 mm | 2 diizinkan, lebar dan kedalaman ≤ 1 mm | 5 diizinkan, lebar dan kedalaman ≤ 5 mm |
| Kontaminasi Permukaan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
Keunggulan Utama
Performa Termal Unggul: Konduktivitas termal SiC yang tinggi memastikan pembuangan panas yang efisien pada perangkat daya, memungkinkannya beroperasi pada tingkat daya dan frekuensi yang lebih tinggi tanpa panas berlebih. Hal ini menghasilkan sistem yang lebih kecil, lebih efisien, dan masa pakai operasional yang lebih panjang.
Tegangan Terobosan Tinggi: Dengan celah pita yang lebih lebar dibandingkan dengan silikon, wafer SiC mendukung aplikasi tegangan tinggi, menjadikannya ideal untuk komponen elektronika daya yang perlu menahan tegangan tembus tinggi, seperti pada kendaraan listrik, sistem tenaga listrik, dan sistem energi terbarukan.
Kehilangan Daya yang Lebih Rendah: Resistansi rendah dan kecepatan peralihan yang cepat pada perangkat SiC menghasilkan kehilangan energi yang lebih rendah selama pengoperasian. Hal ini tidak hanya meningkatkan efisiensi tetapi juga meningkatkan penghematan energi secara keseluruhan pada sistem tempat perangkat tersebut dipasang.
Keandalan yang Ditingkatkan di Lingkungan yang Ekstrem: Sifat material SiC yang tangguh memungkinkannya beroperasi dalam kondisi ekstrem, seperti suhu tinggi (hingga 600°C), tegangan tinggi, dan frekuensi tinggi. Hal ini menjadikan wafer SiC cocok untuk aplikasi industri, otomotif, dan energi yang menuntut.
Efisiensi Energi: Perangkat SiC menawarkan kepadatan daya yang lebih tinggi daripada perangkat berbasis silikon tradisional, sehingga mengurangi ukuran dan bobot sistem elektronika daya sekaligus meningkatkan efisiensi keseluruhannya. Hal ini menghasilkan penghematan biaya dan jejak lingkungan yang lebih kecil dalam aplikasi seperti energi terbarukan dan kendaraan listrik.
Skalabilitas: Diameter 3 inci dan toleransi manufaktur yang tepat dari wafer HPSI SiC memastikan bahwa wafer ini dapat diskalakan untuk produksi massal, memenuhi persyaratan penelitian dan manufaktur komersial.
Kesimpulan
Wafer HPSI SiC, dengan diameter 3 inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, merupakan material optimal untuk perangkat elektronika daya berkinerja tinggi generasi mendatang. Kombinasi unik konduktivitas termal, tegangan tembus tinggi, kehilangan energi rendah, dan keandalan dalam kondisi ekstrem menjadikannya komponen penting untuk berbagai aplikasi dalam konversi daya, energi terbarukan, kendaraan listrik, sistem industri, dan telekomunikasi.
Wafer SiC ini sangat cocok untuk industri yang ingin mencapai efisiensi yang lebih tinggi, penghematan energi yang lebih besar, dan keandalan sistem yang lebih baik. Seiring dengan terus berkembangnya teknologi elektronika daya, wafer SiC HPSI menyediakan fondasi bagi pengembangan solusi hemat energi generasi mendatang, yang mendorong transisi menuju masa depan yang lebih berkelanjutan dan rendah karbon.
Diagram Rinci
