3 Inci Kemurnian Tinggi Semi-isolasi （HPSI）Wafer SiC 350um Kelas Tiruan Kelas Utama
Aplikasi
Wafer HPSI SiC sangat penting dalam mengaktifkan perangkat listrik generasi berikutnya, yang digunakan dalam berbagai aplikasi berkinerja tinggi:
Sistem Konversi Daya: Wafer SiC berfungsi sebagai bahan inti untuk perangkat daya seperti MOSFET daya, dioda, dan IGBT, yang sangat penting untuk konversi daya yang efisien dalam rangkaian listrik. Komponen-komponen ini ditemukan pada catu daya efisiensi tinggi, penggerak motor, dan inverter industri.
Kendaraan Listrik (EV):Meningkatnya permintaan kendaraan listrik mengharuskan penggunaan elektronika daya yang lebih efisien, dan wafer SiC berada di garis depan transformasi ini. Pada powertrain EV, wafer ini memberikan efisiensi tinggi dan kemampuan peralihan yang cepat, yang berkontribusi pada waktu pengisian daya yang lebih cepat, jangkauan yang lebih jauh, dan peningkatan kinerja kendaraan secara keseluruhan.
Energi terbarukan:Dalam sistem energi terbarukan seperti tenaga surya dan angin, wafer SiC digunakan dalam inverter dan konverter yang memungkinkan penangkapan dan distribusi energi lebih efisien. Konduktivitas termal yang tinggi dan tegangan rusaknya SiC yang unggul memastikan bahwa sistem ini beroperasi dengan andal, bahkan dalam kondisi lingkungan yang ekstrem.
Otomasi Industri dan Robotika:Elektronika daya berkinerja tinggi dalam sistem otomasi industri dan robotika memerlukan perangkat yang mampu beralih dengan cepat, menangani beban daya besar, dan beroperasi di bawah tekanan tinggi. Semikonduktor berbasis SiC memenuhi persyaratan ini dengan memberikan efisiensi dan ketahanan yang lebih tinggi, bahkan dalam lingkungan pengoperasian yang sulit.
Sistem Telekomunikasi:Dalam infrastruktur telekomunikasi, dimana keandalan yang tinggi dan konversi energi yang efisien sangat penting, wafer SiC digunakan dalam pasokan listrik dan konverter DC-DC. Perangkat SiC membantu mengurangi konsumsi energi dan meningkatkan kinerja sistem di pusat data dan jaringan komunikasi.
Dengan memberikan landasan yang kuat untuk aplikasi berdaya tinggi, wafer SiC HPSI memungkinkan pengembangan perangkat hemat energi, membantu transisi industri ke solusi yang lebih ramah lingkungan dan berkelanjutan.
Properti
| operasi | Kelas Produksi | Kelas Penelitian | Kelas Boneka |
| Diameter | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Ketebalan | 350 mikron ± 25 mikron | 350 mikron ± 25 mikron | 350 mikron ± 25 mikron |
| Orientasi Wafer | Pada sumbu: <0001> ± 0,5° | Pada sumbu: <0001> ± 2,0° | Pada sumbu: <0001> ± 2,0° |
| Kepadatan Micropipe untuk 95% Wafer (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistivitas Listrik | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dopan | Dibatalkan | Dibatalkan | Dibatalkan |
| Orientasi Datar Primer | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Panjang Datar Primer | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Panjang Datar Sekunder | 18,0mm ± 2,0mm | 18,0mm ± 2,0mm | 18,0mm ± 2,0mm |
| Orientasi Datar Sekunder | Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0° | Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0° | Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0° |
| Pengecualian Tepi | 3mm | 3mm | 3mm |
| LTV/TTV/Busur/Warp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Kekasaran Permukaan | Muka C: Dipoles, Muka Si: CMP | Muka C: Dipoles, Muka Si: CMP | Muka C: Dipoles, Muka Si: CMP |
| Retak (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
| Pelat Hex (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Luas kumulatif 10% |
| Area Polytype (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Luas kumulatif 5% | Luas kumulatif 5% | Luas kumulatif 10% |
| Goresan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | ≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150 mm | ≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 mm | ≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 mm |
| Pemotongan Tepi | Tidak ada yang mengizinkan lebar dan kedalaman ≥ 0,5 mm | 2 diperbolehkan, lebar dan kedalaman ≤ 1 mm | 5 diperbolehkan, lebar dan kedalaman ≤ 5 mm |
| Kontaminasi Permukaan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi) | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
Keuntungan Utama
Kinerja Termal Unggul: Konduktivitas termal SiC yang tinggi memastikan pembuangan panas yang efisien pada perangkat listrik, memungkinkannya beroperasi pada tingkat daya dan frekuensi yang lebih tinggi tanpa terlalu panas. Hal ini berarti sistem yang lebih kecil, lebih efisien, dan masa operasional yang lebih lama.
Tegangan Kerusakan Tinggi: Dengan celah pita yang lebih lebar dibandingkan silikon, wafer SiC mendukung aplikasi tegangan tinggi, menjadikannya ideal untuk komponen elektronik daya yang perlu menahan tegangan tembus tinggi, seperti pada kendaraan listrik, sistem tenaga jaringan, dan sistem energi terbarukan.
Mengurangi Kehilangan Daya: Resistansi rendah dan kecepatan peralihan yang cepat pada perangkat SiC menghasilkan pengurangan kehilangan energi selama pengoperasian. Hal ini tidak hanya meningkatkan efisiensi namun juga meningkatkan penghematan energi secara keseluruhan pada sistem yang digunakan.
Keandalan yang Ditingkatkan di Lingkungan yang Keras: Sifat material SiC yang kuat memungkinkannya bekerja dalam kondisi ekstrem, seperti suhu tinggi (hingga 600°C), tegangan tinggi, dan frekuensi tinggi. Hal ini membuat wafer SiC cocok untuk aplikasi industri, otomotif, dan energi yang menuntut.
Efisiensi Energi: Perangkat SiC menawarkan kepadatan daya yang lebih tinggi dibandingkan perangkat berbasis silikon tradisional, sehingga mengurangi ukuran dan berat sistem elektronik daya sekaligus meningkatkan efisiensinya secara keseluruhan. Hal ini menghasilkan penghematan biaya dan pengurangan dampak lingkungan pada aplikasi seperti energi terbarukan dan kendaraan listrik.
Skalabilitas: Diameter 3 inci dan toleransi manufaktur yang presisi pada wafer SiC HPSI memastikan bahwa wafer tersebut dapat diskalakan untuk produksi massal, memenuhi persyaratan penelitian dan manufaktur komersial.
Kesimpulan
Wafer HPSI SiC, dengan diameter 3 inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, merupakan material optimal untuk perangkat elektronik daya berkinerja tinggi generasi berikutnya. Kombinasi unik antara konduktivitas termal, tegangan tembus yang tinggi, kehilangan energi yang rendah, dan keandalan dalam kondisi ekstrem menjadikannya komponen penting untuk berbagai aplikasi dalam konversi daya, energi terbarukan, kendaraan listrik, sistem industri, dan telekomunikasi.
Wafer SiC ini sangat cocok untuk industri yang ingin mencapai efisiensi lebih tinggi, penghematan energi lebih besar, dan peningkatan keandalan sistem. Seiring dengan terus berkembangnya teknologi elektronika daya, wafer SiC HPSI memberikan landasan bagi pengembangan solusi hemat energi generasi mendatang, sehingga mendorong transisi menuju masa depan yang lebih berkelanjutan dan rendah karbon.
Diagram Terperinci
