Wafer Silikon Karbida 2 inci Tipe 6H-N Kelas Utama Kelas Penelitian Kelas Dummy Ketebalan 330μm 430μm
Berikut ini adalah ciri-ciri wafer silikon karbida:
1. Wafer silikon karbida (SiC) memiliki sifat listrik yang baik dan sifat termal yang sangat baik. Wafer silikon karbida (SiC) memiliki ekspansi termal yang rendah.
2. Wafer silikon karbida (SiC) memiliki sifat kekerasan yang unggul. Wafer silikon karbida (SiC) bekerja dengan baik pada suhu tinggi.
3. Wafer silikon karbida (SiC) memiliki ketahanan yang tinggi terhadap korosi, erosi dan oksidasi. Selain itu, wafer silikon karbida (SiC) juga lebih berkilau dibandingkan berlian atau zirkonia kubik.
4. Ketahanan radiasi yang lebih baik: Wafer SIC memiliki ketahanan radiasi yang lebih kuat, sehingga cocok untuk digunakan di lingkungan radiasi. Contohnya termasuk pesawat ruang angkasa dan fasilitas nuklir.
5. Kekerasan yang lebih tinggi: Wafer SIC lebih keras daripada silikon, yang meningkatkan daya tahan wafer selama pemrosesan.
6. Konstanta dielektrik yang lebih rendah: Konstanta dielektrik wafer SIC lebih rendah dibandingkan silikon, yang membantu mengurangi kapasitansi parasit dalam perangkat dan meningkatkan kinerja frekuensi tinggi.
Wafer silikon karbida memiliki beberapa aplikasi
SiC digunakan untuk pembuatan perangkat bertegangan sangat tinggi dan berdaya tinggi seperti dioda, transistor daya, dan perangkat gelombang mikro berdaya tinggi. Dibandingkan dengan perangkat Si konvensional, perangkat daya berbasis SiC memiliki kecepatan peralihan yang lebih cepat pada tegangan yang lebih tinggi, resistensi parasit yang lebih rendah, ukuran yang lebih kecil, pendinginan yang diperlukan lebih sedikit karena kemampuan suhu tinggi.
Meskipun wafer silikon karbida (SiC-6H) - 6H memiliki sifat elektronik yang unggul, wafer silikon karbida (SiC-6H) - 6H paling mudah disiapkan dan paling baik dipelajari.
1.Power Electronics: Wafer Silikon Karbida digunakan dalam produksi Power Electronics, yang digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan peralatan industri. Konduktivitas termal yang tinggi dan kehilangan daya yang rendah dari Silikon Karbida menjadikannya bahan yang ideal untuk aplikasi ini.
2. Pencahayaan LED: Wafer Silikon Karbida digunakan dalam produksi pencahayaan LED. Kekuatan Silicon Carbide yang tinggi memungkinkan menghasilkan LED yang lebih awet dan tahan lama dibandingkan sumber penerangan tradisional.
3. Perangkat Semikonduktor: Wafer Silikon Karbida digunakan dalam produksi Perangkat Semikonduktor, yang digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk telekomunikasi, komputasi, dan elektronik konsumen. Konduktivitas termal yang tinggi dan kehilangan daya yang rendah dari Silikon Karbida menjadikannya bahan yang ideal untuk aplikasi ini.
4. Sel Surya: Wafer Silikon Karbida digunakan dalam produksi Sel Surya. Kekuatan Silicon Carbide yang tinggi memungkinkan dihasilkannya Solar Cell yang lebih awet dan tahan lama dibandingkan Solar Cell tradisional.
Secara keseluruhan, ZMSH Silicon Carbide Wafer adalah produk serbaguna dan berkualitas tinggi yang dapat digunakan dalam berbagai aplikasi. Konduktivitas termalnya yang tinggi, kehilangan daya yang rendah, dan kekuatan yang tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuk perangkat elektronik bersuhu tinggi dan berdaya tinggi. Dengan Busur/Warp ≤50um, Kekasaran Permukaan ≤1,2nm, dan Resistivitas Resistivitas Tinggi/Rendah, Wafer Silikon Karbida adalah pilihan yang andal dan efisien untuk aplikasi apa pun yang memerlukan permukaan rata dan halus.
Produk Substrat SiC kami hadir dengan dukungan teknis dan layanan komprehensif untuk memastikan kinerja optimal dan kepuasan pelanggan.
Tim ahli kami siap membantu pemilihan produk, pemasangan, dan pemecahan masalah.
Kami menawarkan pelatihan dan pendidikan tentang penggunaan dan pemeliharaan produk kami untuk membantu pelanggan memaksimalkan investasi mereka.
Selain itu, kami menyediakan pembaruan dan penyempurnaan produk secara berkelanjutan untuk memastikan pelanggan kami selalu memiliki akses terhadap teknologi terkini.