Substrat wafer germanium 2 inci 50,8 mm kristal tunggal 1SP 2SP
Informasi Terperinci
Chip germanium memiliki sifat semikonduktor. Telah memainkan peran penting dalam pengembangan fisika zat padat dan elektronik zat padat. Germanium memiliki kerapatan leleh 5,32 g/cm³, germanium dapat diklasifikasikan sebagai logam tipis yang tersebar, germanium memiliki stabilitas kimia, tidak bereaksi dengan udara atau uap air pada suhu kamar, tetapi pada suhu 600 ~ 700℃, germanium dioksida cepat terbentuk. Tidak bereaksi dengan asam klorida, asam sulfat encer. Ketika asam sulfat pekat dipanaskan, germanium akan larut perlahan. Dalam asam nitrat dan aqua regia, germanium mudah larut. Pengaruh larutan alkali pada germanium sangat lemah, tetapi alkali cair di udara dapat membuat germanium larut dengan cepat. Germanium tidak bereaksi dengan karbon, sehingga dilelehkan dalam wadah grafit dan tidak akan terkontaminasi oleh karbon. Germanium memiliki sifat semikonduktor yang baik, seperti mobilitas elektron, mobilitas lubang, dan sebagainya. Pengembangan germanium masih memiliki potensi yang besar.
Spesifikasi
| Metode pertumbuhan | CZ | ||
| struktur kristal | Sistem kubik | ||
| Konstanta kisi | a = 5,65754 Å | ||
| Kepadatan | 5,323 g/cm³ | ||
| Titik lebur | 937,4℃ | ||
| Doping | Tidak menggunakan doping | Doping-Sb | Doping-Ga |
| Jenis | / | N | P |
| perlawanan | >35Ωcm | 0,01~35 Ωcm | 0,05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Diameter | 2 inci/50,8 mm | ||
| Ketebalan | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Permukaan | DSP dan SSP | ||
| Orientasi | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm×5µm) | ||
| Kemasan | Paket kelas 100, kamar kelas 1000 | ||
Diagram Terperinci



