Wafer Safir 156mm 159mm 6 inci untuk pembawa C-Plane DSP TTV
Spesifikasi
| Barang | Wafer Safir Bidang C 6 inci (0001) | |
| Bahan Kristal | Al2O3 Monokristalin dengan Kemurnian Tinggi 99,999% | |
| Nilai | Prime, Siap Pakai Epi | |
| Orientasi Permukaan | Bidang C(0001) | |
| Sudut kemiringan bidang C terhadap sumbu M adalah 0,2 +/- 0,1°. | ||
| Diameter | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Ketebalan | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientasi Datar Utama | Bidang C(00-01) +/- 0,2° | |
| Dipoles Satu Sisi | Permukaan Depan | Dipoles secara epitaksial, Ra < 0,2 nm (dengan AFM) |
| (SSP) | Permukaan Belakang | Bubuk halus, Ra = 0,8 μm hingga 1,2 μm |
| Dipoles Dua Sisi | Permukaan Depan | Dipoles secara epitaksial, Ra < 0,2 nm (dengan AFM) |
| (DSP) | Permukaan Belakang | Dipoles secara epitaksial, Ra < 0,2 nm (dengan AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BUSUR | < 20 μm | |
| MELENGKUNG | < 20 μm | |
| Pembersihan / Pengemasan | Pembersihan ruang bersih kelas 100 dan pengemasan vakum, | |
| 25 buah dalam satu kemasan kaset atau kemasan satuan. | ||
Metode Kylopoulos (metode KY) saat ini digunakan oleh banyak perusahaan di Tiongkok untuk memproduksi kristal safir yang digunakan dalam industri elektronik dan optik.
Dalam proses ini, aluminium oksida dengan kemurnian tinggi dilebur dalam wadah pada suhu di atas 2100 derajat Celcius. Biasanya wadah tersebut terbuat dari tungsten atau molibdenum. Kristal benih yang diorientasikan secara tepat dicelupkan ke dalam alumina cair. Kristal benih ditarik perlahan ke atas dan dapat diputar secara bersamaan. Dengan mengontrol gradien suhu, laju penarikan, dan laju pendinginan secara tepat, ingot kristal tunggal yang besar dan hampir berbentuk silinder dapat dihasilkan dari lelehan tersebut.
Setelah batangan safir kristal tunggal ditumbuhkan, batangan tersebut dibor menjadi batangan silindris, yang kemudian dipotong sesuai ketebalan jendela yang diinginkan dan akhirnya dipoles hingga mencapai hasil akhir permukaan yang diinginkan.
Diagram Terperinci





