Wafer Epi-layer GaN pada Safir 100mm 4 inci Wafer epitaksial galium nitrida

(1) Pemanggangan suhu tinggi, substrat safir pertama-tama dipanaskan hingga 1050℃ dalam atmosfer hidrogen, tujuannya adalah untuk membersihkan permukaan substrat;

(2) Ketika suhu substrat turun menjadi 510℃, lapisan penyangga GaN/AlN suhu rendah dengan ketebalan 30nm diendapkan pada permukaan substrat safir;

(3) Kenaikan suhu hingga 10 ℃, gas reaksi amonia, trimetilgallium dan silana disuntikkan, masing-masing mengontrol laju aliran yang sesuai, dan GaN tipe-N yang didoping silikon dengan ketebalan 4um tumbuh;

(4) Gas reaksi trimetil aluminium dan trimetil galium digunakan untuk menyiapkan benua tipe-N A⒑ yang didoping silikon dengan ketebalan 0,15um;

(5) InGaN terdoping Zn berukuran 50nm disiapkan dengan menyuntikkan trimetilgallium, trimetilindium, dietilseng dan amonia pada suhu 8O0℃ dan mengendalikan laju aliran yang berbeda masing-masing;

(6) Suhu dinaikkan menjadi 1020℃, trimetilaluminium, trimetilgallium dan bis (siklopentadienil) magnesium diinjeksikan untuk menyiapkan 0,15um Mg P-tipe AlGaN dan 0,5um Mg P-tipe G glukosa darah;

(7) Film GaN Sibuyan tipe P berkualitas tinggi diperoleh dengan anil dalam atmosfer nitrogen pada suhu 700℃;

(8) Penggoresan pada permukaan stasis G tipe P untuk memperlihatkan permukaan stasis G tipe N;

(9) Penguapan pelat kontak Ni/Au pada permukaan p-GaNI, penguapan pelat kontak △/Al pada permukaan ll-GaN untuk membentuk elektroda.