Saat ini, perusahaan kami dapat terus memasok wafer SiC tipe 8 inci dalam jumlah kecil, jika Anda memiliki kebutuhan sampel, jangan ragu untuk menghubungi saya.Kami memiliki beberapa sampel wafer yang siap dikirim.
Di bidang material semikonduktor, perusahaan telah membuat terobosan besar dalam penelitian dan pengembangan kristal SiC berukuran besar.Dengan menggunakan kristal benih miliknya sendiri setelah beberapa putaran pembesaran diameter, perusahaan telah berhasil menumbuhkan kristal SiC tipe N berukuran 8 inci, yang memecahkan masalah sulit seperti bidang suhu yang tidak merata, keretakan kristal, dan distribusi bahan baku fase gas dalam proses pertumbuhan. Kristal SIC 8 inci, dan mempercepat pertumbuhan kristal SIC ukuran besar serta teknologi pemrosesan yang otonom dan terkendali.Sangat meningkatkan daya saing inti perusahaan dalam industri substrat kristal tunggal SiC.Pada saat yang sama, perusahaan secara aktif mempromosikan akumulasi teknologi dan proses lini eksperimen persiapan substrat silikon karbida ukuran besar, memperkuat pertukaran teknis dan kolaborasi industri di bidang hulu dan hilir, dan berkolaborasi dengan pelanggan untuk terus mengulangi kinerja produk, dan bersama-sama mempromosikan laju penerapan industri bahan silikon karbida.
| Spesifikasi DSP SiC tipe N 8 inci | |||||
| Nomor | Barang | Satuan | Produksi | Riset | Contoh |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | politipe | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parameter kelistrikan | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe-n | Nitrogen tipe-n | Nitrogen tipe-n |
| 2.2 | resistivitas | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parameter mekanis | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | ketebalan | m | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takik | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | m | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TV | m | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Busur | m | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Melengkung | m | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | kepadatan mikropipa | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualitas positif | |||||
| 5.1 | depan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | permukaan akhir | -- | CMP wajah-si | CMP wajah-si | CMP wajah-si |
| 5.3 | partikel | ea/wafer | ≤100 (ukuran≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | menggores | ea/wafer | ≤5, Panjang Total≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Tepian keripik/lekukan/retak/noda/kontaminasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 5.6 | Daerah politipe | -- | Tidak ada | Luas ≤10% | Luas ≤30% |
| 5.7 | penandaan depan | -- | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
| 6. Kualitas kembali | |||||
| 6.1 | kembali selesai | -- | Anggota parlemen berwajah C | Anggota parlemen berwajah C | Anggota parlemen berwajah C |
| 6.2 | menggores | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Tepi cacat punggung chip/indentasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 6.4 | Kekasaran punggung | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan kembali | -- | Takik | Takik | Takik |
| 7. Tepi | |||||
| 7.1 | tepian | -- | Talang | Talang | Talang |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | kemasan | -- | Epi-siap dengan vakum kemasan | Epi-siap dengan vakum kemasan | Epi-siap dengan vakum kemasan |
| 8.2 | kemasan | -- | Multi-wafer kemasan kaset | Multi-wafer kemasan kaset | Multi-wafer kemasan kaset |
Waktu posting: 18 April-2023