Saat ini, perusahaan kami dapat terus memasok wafer SiC tipe 8inchN dalam jumlah kecil, jika Anda memiliki kebutuhan sampel, jangan ragu untuk menghubungi saya. Kami memiliki beberapa wafer sampel yang siap dikirim.
Di bidang material semikonduktor, perusahaan telah membuat terobosan besar dalam penelitian dan pengembangan kristal SiC ukuran besar. Dengan menggunakan kristal benihnya sendiri setelah beberapa putaran pembesaran diameter, perusahaan telah berhasil menumbuhkan kristal SiC tipe-N berukuran 8 inci, yang memecahkan masalah sulit seperti medan suhu yang tidak merata, keretakan kristal, dan distribusi bahan baku fase gas dalam proses pertumbuhan kristal SIC berukuran 8 inci, dan mempercepat pertumbuhan kristal SIC ukuran besar dan teknologi pemrosesan yang otonom dan terkendali. Sangat meningkatkan daya saing inti perusahaan dalam industri substrat kristal tunggal SiC. Pada saat yang sama, perusahaan secara aktif mempromosikan akumulasi teknologi dan proses lini eksperimen persiapan substrat silikon karbida berukuran besar, memperkuat pertukaran teknis dan kolaborasi industri di bidang hulu dan hilir, dan berkolaborasi dengan pelanggan untuk terus mengulangi kinerja produk, dan bersama-sama mempromosikan laju aplikasi industri bahan silikon karbida.
| Spesifikasi DSP SiC tipe N 8 inci | |||||
| Nomor | Barang | Satuan | Produksi | Riset | Contoh |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | politipe | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parameter listrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n | Nitrogen tipe n |
| 2.2 | resistivitas | ohm·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parameter mekanis | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | ketebalan | mikrometer | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takik | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1,5 tahun | 1~1,5 tahun | 1~1,5 tahun |
| 3.5 | Nilai Tukar Tambah | mikrometer | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TV Televisi | mikrometer | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Busur | mikrometer | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Melengkung | mikrometer | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | kepadatan mikropipa | satuan/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | satuan/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Penyakit Akibat Penyakit Berdarah | satuan/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | satuan/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualitas positif | |||||
| 5.1 | depan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | permukaan akhir | -- | CMP muka-Si | CMP muka-Si | CMP muka-Si |
| 5.3 | partikel | masing-masing/wafer | ≤100 (ukuran ≥ 0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | menggores | masing-masing/wafer | ≤5, Panjang Total ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Tepian serpihan/lekukan/retak/noda/kontaminasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 5.6 | Area politipe | -- | Tidak ada | Luas wilayah ≤10% | Luas wilayah ≤30% |
| 5.7 | tanda depan | -- | Tidak ada | Tidak ada | Tidak ada |
| 6. Kualitas punggung | |||||
| 6.1 | selesai kembali | -- | Wajah C MP | Wajah C MP | Wajah C MP |
| 6.2 | menggores | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Cacat tepi belakang keripik/indentasi | -- | Tidak ada | Tidak ada | NA |
| 6.4 | Kekasaran punggung | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan kembali | -- | Takik | Takik | Takik |
| 7. Tepi | |||||
| 7.1 | tepian | -- | Talang | Talang | Talang |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | kemasan | -- | Siap epi dengan vakum kemasan | Siap epi dengan vakum kemasan | Siap epi dengan vakum kemasan |
| 8.2 | kemasan | -- | wafer ganda kemasan kaset | wafer ganda kemasan kaset | wafer ganda kemasan kaset |
Waktu posting: 18-Apr-2023