Pemberitahuan pasokan SiC 8 inci yang stabil dalam jangka panjang

Saat ini, perusahaan kami dapat terus memasok wafer SiC tipe 8 inci N dalam jumlah kecil. Jika Anda membutuhkan sampel, jangan ragu untuk menghubungi saya. Kami memiliki beberapa sampel wafer yang siap dikirim.

Pemberitahuan pasokan SiC 8 inci yang stabil dalam jangka panjang
Pemberitahuan pasokan stabil jangka panjang SiC 8 inci1

Di bidang material semikonduktor, perusahaan telah membuat terobosan besar dalam penelitian dan pengembangan kristal SiC ukuran besar. Dengan menggunakan kristal benihnya sendiri setelah beberapa putaran pembesaran diameter, perusahaan telah berhasil menumbuhkan kristal SiC tipe-N 8 inci, yang memecahkan masalah sulit seperti medan suhu yang tidak merata, retak kristal dan distribusi bahan baku fase gas dalam proses pertumbuhan kristal SIC 8 inci, dan mempercepat pertumbuhan kristal SIC ukuran besar dan teknologi pemrosesan yang otonom dan terkendali. Sangat meningkatkan daya saing inti perusahaan dalam industri substrat kristal tunggal SiC. Pada saat yang sama, perusahaan secara aktif mempromosikan akumulasi teknologi dan proses lini eksperimen persiapan substrat silikon karbida ukuran besar, memperkuat pertukaran teknis dan kolaborasi industri di bidang hulu dan hilir, dan berkolaborasi dengan pelanggan untuk terus mengulangi kinerja produk, dan bersama-sama mempromosikan laju aplikasi industri bahan silikon karbida.

Spesifikasi DSP SiC tipe-N 8 inci

Nomor Barang Satuan Produksi Riset Contoh
1. Parameter
1.1 politipe -- 4H 4H 4H
1.2 orientasi permukaan ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Parameter listrik
2.1 dopan -- Nitrogen tipe-n Nitrogen tipe-n Nitrogen tipe-n
2.2 resistivitas ohm·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Parameter mekanis
3.1 diameter mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 ketebalan mikrometer 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientasi takik ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Kedalaman Takik mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 Nilai Tukar Tambah (LTV) mikrometer ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 Televisi mikrometer ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Busur mikrometer -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Melengkung mikrometer ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Struktur
4.1 kepadatan mikropipa masing-masing/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 kandungan logam atom/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD masing-masing/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 Penyakit Jantung Koroner (BPBD) masing-masing/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED masing-masing/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Kualitas positif
5.1 depan -- Si Si Si
5.2 permukaan akhir -- CMP muka-Si CMP muka-Si CMP muka-Si
5.3 partikel ea/wafer ≤100 (ukuran ≥ 0,3μm) NA NA
5.4 menggores ea/wafer ≤5, Panjang Total ≤200mm NA NA
5.5 Tepian
serpihan/lekukan/retak/noda/kontaminasi
-- Tidak ada Tidak ada NA
5.6 Area politipe -- Tidak ada Luas ≤10% Luas ≤30%
5.7 tanda depan -- Tidak ada Tidak ada Tidak ada
6. Kualitas punggung
6.1 bagian belakang selesai -- MP berwajah C MP berwajah C MP berwajah C
6.2 menggores mm NA NA NA
6.3 Cacat tepi belakang
keripik/lekukan
-- Tidak ada Tidak ada NA
6.4 Kekasaran punggung nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Penandaan kembali -- Takik Takik Takik
7. Tepi
7.1 tepian -- Talang Talang Talang
8. Paket
8.1 kemasan -- Siap epi dengan vakum
kemasan
Siap epi dengan vakum
kemasan
Siap epi dengan vakum
kemasan
8.2 kemasan -- Multi-wafer
kemasan kaset
Multi-wafer
kemasan kaset
Multi-wafer
kemasan kaset

Waktu posting: 18-Apr-2023