Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tipe 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

Deskripsi Singkat:

Kami menawarkan beragam pilihan wafer SiC (Silikon Karbida) berkualitas tinggi, dengan fokus khusus pada wafer tipe-N 4H-N dan 6H-N, yang ideal untuk aplikasi di bidang optoelektronik canggih, perangkat daya, dan lingkungan suhu tinggi. Wafer tipe-N ini dikenal karena konduktivitas termalnya yang luar biasa, stabilitas listrik yang unggul, dan daya tahan yang luar biasa, menjadikannya sempurna untuk aplikasi berkinerja tinggi seperti elektronika daya, sistem penggerak kendaraan listrik, inverter energi terbarukan, dan catu daya industri. Selain penawaran tipe-N kami, kami juga menyediakan wafer SiC tipe-P 4H/6H-P dan 3C untuk kebutuhan khusus, termasuk perangkat frekuensi tinggi dan RF, serta aplikasi fotonik. Wafer kami tersedia dalam ukuran mulai dari 2 inci hingga 8 inci, dan kami menyediakan solusi yang disesuaikan untuk memenuhi persyaratan khusus berbagai sektor industri. Untuk detail atau pertanyaan lebih lanjut, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Kirim email kepada kami

Fitur

Properti

4H-N dan 6H-N (Wafer SiC tipe N)

Aplikasi:Terutama digunakan dalam elektronika daya, optoelektronika, dan aplikasi suhu tinggi.

Rentang Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm, dengan ketebalan opsional 500 μm ± 25 μm.

Resistivitas:Tipe N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (kelas Z), ≤ 0,3 Ω·cm (kelas P); Tipe N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (kelas Z), ≤ 1 mΩ·cm (kelas P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 buah/cm².

TTV: ≤ 10 μm untuk semua diameter.

Melengkung: ≤ 30 μm (≤ 45 μm untuk wafer 8 inci).

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm, tergantung pada jenis wafer.

Kemasan:Kaset multi-wafer atau wadah wafer tunggal.

Ukuran lain yang tersedia: 3 inci, 4 inci, 6 inci, 8 inci

HPSI (Wafer SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi)

Aplikasi:Digunakan untuk perangkat yang membutuhkan resistansi tinggi dan kinerja stabil, seperti perangkat RF, aplikasi fotonik, dan sensor.

Rentang Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:Ketebalan standar 350 μm ± 25 μm dengan opsi untuk wafer yang lebih tebal hingga 500 μm.

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm.

Kepadatan Mikropipa (MPD): ≤ 1 buah/cm².

Resistivitas:Resistansi tinggi, biasanya digunakan dalam aplikasi semi-isolasi.

Melengkung: ≤ 30 μm (untuk ukuran lebih kecil), ≤ 45 μm untuk diameter lebih besar.

TTV: ≤ 10 μm.

Ukuran lain yang tersedia: 3 inci, 4 inci, 6 inci, 8 inci

4H-P、6H-P&3C wafer SiC(Wafer SiC tipe P)

Aplikasi:Terutama untuk perangkat daya dan frekuensi tinggi.

Rentang Diameter:50,8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm atau opsi yang disesuaikan.

Resistivitas:Tipe P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (kelas Z), ≤ 0,3 Ω·cm (kelas P).

Kekasaran:Ra ≤ 0,2 nm (CMP atau MP).

Kepadatan Mikropipa (MPD):< 1 buah/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm.

Melengkung: ≤ 30 μm untuk ukuran yang lebih kecil, ≤ 45 μm untuk ukuran yang lebih besar.

Ukuran lain yang tersedia: 3 inci, 4 inci, 6 inci5×5 10×10

Tabel Parameter Data Parsial

Milik	2 inci		3 inci		4 inci	6 inci	8 inci
Jenis	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diameter	50,8 ± 0,3 mm		76,2±0,3 mm		100±0,3 mm	150±0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Ketebalan	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350±25um;		500±25um		500±25um	500±25um	500±25um
	atau disesuaikan		atau disesuaikan		atau disesuaikan	atau disesuaikan	atau disesuaikan
Kekasaran	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Melengkung	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Menggaruk/Menggali	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Membentuk	Bulat, Datar 16mm; Panjang OF 22mm; Panjang OF 30/32.5mm; Panjang OF 47.5mm; Takik; Takik;
Memiringkan	45°, Spesifikasi SEMI; Bentuk C
Nilai	Kelas produksi untuk MOS & SBD; Kelas penelitian; Kelas dummy; Kelas wafer benih.
Perkataan	Diameter, Ketebalan, Orientasi, dan spesifikasi di atas dapat disesuaikan sesuai permintaan Anda.

Aplikasi

·Elektronik Daya

Wafer SiC tipe N sangat penting dalam perangkat elektronika daya karena kemampuannya untuk menangani tegangan dan arus tinggi. Wafer ini umumnya digunakan dalam konverter daya, inverter, dan penggerak motor untuk industri seperti energi terbarukan, kendaraan listrik, dan otomatisasi industri.

· Optoelektronik
Material SiC tipe N, khususnya untuk aplikasi optoelektronik, digunakan dalam perangkat seperti dioda pemancar cahaya (LED) dan dioda laser. Konduktivitas termal yang tinggi dan celah pita yang lebar menjadikannya ideal untuk perangkat optoelektronik berkinerja tinggi.

·Aplikasi Suhu Tinggi
Wafer SiC 4H-N dan 6H-N sangat cocok untuk lingkungan suhu tinggi, seperti pada sensor dan perangkat daya yang digunakan dalam aplikasi kedirgantaraan, otomotif, dan industri di mana pembuangan panas dan stabilitas pada suhu tinggi sangat penting.

·Perangkat RF
Wafer SiC 4H-N dan 6H-N digunakan dalam perangkat frekuensi radio (RF) yang beroperasi pada rentang frekuensi tinggi. Wafer ini diaplikasikan dalam sistem komunikasi, teknologi radar, dan komunikasi satelit, di mana efisiensi daya dan kinerja tinggi sangat dibutuhkan.

·Aplikasi Fotonik
Dalam bidang fotonika, wafer SiC digunakan untuk perangkat seperti fotodetektor dan modulator. Sifat unik material ini memungkinkan penggunaannya yang efektif dalam pembangkitan, modulasi, dan deteksi cahaya pada sistem komunikasi optik dan perangkat pencitraan.

·Sensor
Wafer SiC digunakan dalam berbagai aplikasi sensor, terutama di lingkungan yang keras di mana material lain mungkin gagal. Ini termasuk sensor suhu, tekanan, dan kimia, yang sangat penting di bidang seperti otomotif, minyak & gas, dan pemantauan lingkungan.

·Sistem Penggerak Kendaraan Listrik
Teknologi SiC memainkan peran penting dalam kendaraan listrik dengan meningkatkan efisiensi dan kinerja sistem penggerak. Dengan semikonduktor daya SiC, kendaraan listrik dapat mencapai masa pakai baterai yang lebih baik, waktu pengisian daya yang lebih cepat, dan efisiensi energi yang lebih besar.

·Sensor Canggih dan Konverter Fotonik
Dalam teknologi sensor canggih, wafer SiC digunakan untuk menciptakan sensor presisi tinggi untuk aplikasi di bidang robotika, perangkat medis, dan pemantauan lingkungan. Dalam konverter fotonik, sifat-sifat SiC dimanfaatkan untuk memungkinkan konversi energi listrik menjadi sinyal optik secara efisien, yang sangat penting dalam telekomunikasi dan infrastruktur internet berkecepatan tinggi.

Tanya Jawab

QApa arti 4H dalam 4H SiC?
A“4H” dalam 4H SiC mengacu pada struktur kristal silikon karbida, khususnya bentuk heksagonal dengan empat lapisan (H). “H” menunjukkan jenis polipe heksagonal, yang membedakannya dari polipe SiC lainnya seperti 6H atau 3C.

QBerapakah konduktivitas termal dari 4H-SiC?
AKonduktivitas termal 4H-SiC (Silikon Karbida) adalah sekitar 490-500 W/m·K pada suhu ruangan. Konduktivitas termal yang tinggi ini menjadikannya ideal untuk aplikasi di bidang elektronika daya dan lingkungan bersuhu tinggi, di mana pembuangan panas yang efisien sangat penting.

Sebelumnya: Tabung safir, manufaktur presisi, tabung transparan kristal Al2O3, tahan aus, kekerasan tinggi EFG/KY, berbagai diameter, pemolesan sesuai pesanan.

Berikutnya: Kotak wafer kaset tunggal 2 inci, material PP atau PC. Digunakan dalam solusi koin wafer. Ukuran 1 inci, 3 inci, 4 inci, 5 inci, 6 inci, dan 12 inci tersedia.