Batangan SiC tipe 4H-N, ukuran dummy 2 inci, 3 inci, 4 inci, 6 inci, ketebalan: >10 mm

Batang SiC tipe 4H-N, ukuran dummy 2 inci, 3 inci, 4 inci, 6 inci, ketebalan >10 mm. Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Batang SiC Tipe 4H-N (Dummy Grade) adalah material premium yang digunakan dalam pengembangan dan pengujian perangkat semikonduktor canggih. Dengan sifat listrik, termal, dan mekanik yang kuat, material ini ideal untuk aplikasi daya tinggi dan suhu tinggi. Material ini sangat cocok untuk penelitian dan pengembangan di bidang elektronika daya, sistem otomotif, dan peralatan industri. Tersedia dalam berbagai ukuran, termasuk diameter 2 inci, 3 inci, 4 inci, dan 6 inci, batang ini dirancang untuk memenuhi tuntutan ketat industri semikonduktor sekaligus menawarkan kinerja dan keandalan yang sangat baik.

Kirim email kepada kami

Fitur

Aplikasi

Elektronik Daya:Digunakan dalam produksi transistor daya, dioda, dan penyearah efisiensi tinggi untuk aplikasi industri dan otomotif.

Kendaraan Listrik (EV):Digunakan dalam pembuatan modul daya untuk sistem penggerak listrik, inverter, dan pengisi daya.

Sistem Energi Terbarukan:Penting untuk pengembangan perangkat konversi daya yang efisien untuk sistem energi surya, angin, dan penyimpanan energi.

Dirgantara dan Pertahanan:Diterapkan pada komponen frekuensi tinggi dan daya tinggi, termasuk sistem radar dan komunikasi satelit.

Sistem Kontrol Industri:Mendukung sensor canggih dan perangkat kontrol di lingkungan yang menuntut.

Properti

daya konduksi.
Pilihan Diameter: 2 inci, 3 inci, 4 inci, dan 6 inci.
Ketebalan: >10mm, memastikan ketersediaan material yang cukup untuk pemotongan dan pemrosesan wafer.
Tipe: Dummy Grade, terutama digunakan untuk pengujian dan pengembangan non-perangkat.
Tipe Pembawa: Tipe N, mengoptimalkan material untuk perangkat daya berkinerja tinggi.
Konduktivitas Termal: Sangat baik, ideal untuk pembuangan panas yang efisien dalam elektronika daya.
Resistivitas: Resistivitas rendah, meningkatkan konduktivitas dan efisiensi perangkat.
Kekuatan Mekanis: Tinggi, memastikan daya tahan dan stabilitas di bawah tekanan dan suhu tinggi.
Sifat Optik: Transparan dalam rentang UV-visibel, sehingga cocok untuk aplikasi sensor optik.
Kepadatan Cacat: Rendah, berkontribusi pada kualitas tinggi perangkat yang diproduksi.
Spesifikasi ingot SiC
Kelas: Produksi;
Ukuran: 6 inci;
Diameter: 150,25 mm +0,25:
Ketebalan: >10mm;
Orientasi Permukaan: 4° ke arah <11-20> + 0,2°:
Orientasi datar utama: <1-100>+5°:
Panjang bidang datar utama: 47,5 mm + 1,5;
Resistivitas: 0,015-0,02852:
Mikropipa: <0,5;
BPD: <2000;
TSD: <500;
Area polipe: Tidak ada;
Lekukan tepi: <3,: lebar dan kedalaman 1 mm;
Edge Qracks: 3,
Pengemasan: Kotak wafer;
Untuk pesanan dalam jumlah besar atau kustomisasi khusus, harga dapat bervariasi. Silakan hubungi departemen penjualan kami untuk mendapatkan penawaran harga yang disesuaikan berdasarkan kebutuhan dan jumlah pesanan Anda.