HPSI SiCOI wafer 4 6 inci Pengikatan Hidrofobik

Gambar Unggulan Wafer HPSI SiCOI 4,6 inci Pengikatan Hidrofobik

Deskripsi Singkat:

Wafer 4H-SiCOI semi-isolasi kemurnian tinggi (HPSI) dikembangkan menggunakan teknologi pengikatan dan penipisan canggih. Wafer dibuat dengan mengikat substrat silikon karbida 4H HPSI ke lapisan oksida termal melalui dua metode utama: pengikatan hidrofilik (langsung) dan pengikatan aktivasi permukaan. Metode terakhir memperkenalkan lapisan modifikasi perantara (seperti silikon amorf, aluminium oksida, atau titanium oksida) untuk meningkatkan kualitas ikatan dan mengurangi gelembung, terutama cocok untuk aplikasi optik. Kontrol ketebalan lapisan silikon karbida dicapai melalui proses SmartCut berbasis implantasi ion atau proses penggerindaan dan pemolesan CMP. SmartCut menawarkan keseragaman ketebalan presisi tinggi (50nm–900nm dengan keseragaman ±20nm) tetapi dapat menyebabkan sedikit kerusakan kristal akibat implantasi ion, yang memengaruhi kinerja perangkat optik. Penggerindaan dan pemolesan CMP menghindari kerusakan material dan lebih disukai untuk film yang lebih tebal (350nm–500µm) dan aplikasi kuantum atau PIC, meskipun dengan keseragaman ketebalan yang lebih rendah (±100nm). Wafer standar 6 inci memiliki lapisan SiC 1µm ±0,1µm di atas lapisan SiO2 3µm di atas substrat Si 675µm dengan kehalusan permukaan yang luar biasa (Rq < 0,2nm). Wafer HPSI SiCOI ini memenuhi kebutuhan manufaktur MEMS, PIC, kuantum, dan perangkat optik dengan kualitas material yang sangat baik dan fleksibilitas proses.

Kirim email kepada kami

Fitur

Gambaran Umum Sifat-Sifat Wafer SiCOI (Silikon Karbida-pada-Isolator)

Wafer SiCOI adalah substrat semikonduktor generasi baru yang menggabungkan Silikon Karbida (SiC) dengan lapisan isolasi, seringkali SiO₂ atau safir, untuk meningkatkan kinerja dalam elektronika daya, RF, dan fotonika. Berikut adalah gambaran rinci tentang sifat-sifatnya yang dikategorikan ke dalam bagian-bagian utama:

Milik	Keterangan
Komposisi Material	Lapisan Silikon Karbida (SiC) yang direkatkan pada substrat isolasi (biasanya SiO₂ atau safir)
Struktur Kristal	Biasanya polimorf 4H atau 6H dari SiC, yang dikenal karena kualitas kristal dan keseragamannya yang tinggi.
Sifat Kelistrikan	Medan listrik tembus tinggi (~3 MV/cm), celah pita lebar (~3,26 eV untuk 4H-SiC), arus bocor rendah
Konduktivitas Termal	Konduktivitas termal tinggi (~300 W/m·K), memungkinkan pembuangan panas yang efisien.
Lapisan Dielektrik	Lapisan isolasi (SiO₂ atau safir) memberikan isolasi listrik dan mengurangi kapasitansi parasit.
Sifat Mekanis	Kekerasan tinggi (~9 skala Mohs), kekuatan mekanik yang sangat baik, dan stabilitas termal.
Lapisan Permukaan	Biasanya sangat halus dengan kepadatan cacat rendah, cocok untuk fabrikasi perangkat.
Aplikasi	Elektronika daya, perangkat MEMS, perangkat RF, sensor yang membutuhkan toleransi suhu dan tegangan tinggi.

Wafer SiCOI (Silikon Karbida-pada-Insulator) mewakili struktur substrat semikonduktor canggih, yang terdiri dari lapisan tipis silikon karbida (SiC) berkualitas tinggi yang diikatkan pada lapisan isolasi, biasanya silikon dioksida (SiO₂) atau safir. Silikon karbida adalah semikonduktor celah pita lebar yang dikenal karena kemampuannya untuk menahan tegangan tinggi dan suhu tinggi, bersama dengan konduktivitas termal yang sangat baik dan kekerasan mekanik yang unggul, menjadikannya ideal untuk aplikasi elektronik daya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi.

Lapisan isolasi pada wafer SiCOI memberikan isolasi listrik yang efektif, secara signifikan mengurangi kapasitansi parasit dan arus bocor antar perangkat, sehingga meningkatkan kinerja dan keandalan perangkat secara keseluruhan. Permukaan wafer dipoles dengan presisi untuk mencapai kehalusan ultra dengan cacat minimal, memenuhi tuntutan ketat fabrikasi perangkat skala mikro dan nano.

Struktur material ini tidak hanya meningkatkan karakteristik listrik perangkat SiC tetapi juga sangat meningkatkan manajemen termal dan stabilitas mekanik. Akibatnya, wafer SiCOI banyak digunakan dalam elektronika daya, komponen frekuensi radio (RF), sensor sistem mikroelektromekanik (MEMS), dan elektronika suhu tinggi. Secara keseluruhan, wafer SiCOI menggabungkan sifat fisik silikon karbida yang luar biasa dengan manfaat isolasi listrik dari lapisan isolator, memberikan fondasi ideal untuk generasi perangkat semikonduktor berkinerja tinggi berikutnya.

Aplikasi wafer SiCOI

Perangkat Elektronik Daya

Sakelar tegangan tinggi dan daya tinggi, MOSFET, dan dioda

Manfaatkan celah pita lebar SiC, tegangan tembus tinggi, dan stabilitas termal.

Pengurangan kehilangan daya dan peningkatan efisiensi pada sistem konversi daya.

Komponen Frekuensi Radio (RF)

Transistor dan penguat frekuensi tinggi

Kapasitansi parasitik rendah karena lapisan isolasi meningkatkan kinerja RF.

Cocok untuk sistem komunikasi dan radar 5G.

Sistem Mikroelektromekanik (MEMS)

Sensor dan aktuator yang beroperasi di lingkungan yang keras.

Ketahanan mekanis dan inertness kimia memperpanjang umur perangkat.

Termasuk sensor tekanan, akselerometer, dan giroskop.

Elektronik Suhu Tinggi

Elektronik untuk aplikasi otomotif, kedirgantaraan, dan industri.

Beroperasi dengan andal pada suhu tinggi di mana silikon gagal.

Perangkat Fotonik

Integrasi dengan komponen optoelektronik pada substrat isolator

Memungkinkan fotonika terintegrasi pada chip dengan manajemen termal yang lebih baik.

Tanya Jawab tentang wafer SiCOI

Q:Apa itu wafer SiCOI?

A:Wafer SiCOI adalah singkatan dari Silicon Carbide-on-Insulator wafer. Ini adalah jenis substrat semikonduktor di mana lapisan tipis silikon karbida (SiC) diikatkan pada lapisan isolasi, biasanya silikon dioksida (SiO₂) atau terkadang safir. Struktur ini mirip dengan konsep wafer Silicon-on-Insulator (SOI) yang terkenal, tetapi menggunakan SiC sebagai pengganti silikon.