Wafer HPSI SiC ≥90% Tingkat Transmisi Optik untuk Kacamata AI/AR

Deskripsi Singkat:

Parameter	Nilai	Substrat 4 Inci	Substrat 6 Inci
Diameter	Kelas Z / Kelas D	99,5 mm – 100,0 mm	149,5 mm – 150,0 mm
Tipe poli	Kelas Z / Kelas D	4H	4H
Ketebalan	Kelas Z	500 mikron ± 15 mikron	500 mikron ± 15 mikron
Ketebalan	Kelas D	500 mikron ± 25 mikron	500 mikron ± 25 mikron
Orientasi Wafer	Kelas Z / Kelas D	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°
Kepadatan Mikropipa	Kelas Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Kepadatan Mikropipa	Kelas D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Resistivitas	Kelas Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Resistivitas	Kelas D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Kirim email ke kami

Fitur

Pengantar Inti: Peran Wafer SiC HPSI dalam Kacamata AI/AR

Wafer Karbida Silikon HPSI (Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi) adalah wafer khusus yang dicirikan oleh resistivitas tinggi (>10⁹ Ω·cm) dan kepadatan cacat yang sangat rendah. Dalam kacamata AI/AR, wafer ini terutama berfungsi sebagai bahan substrat inti untuk lensa pandu gelombang optik difraktif, mengatasi hambatan yang terkait dengan bahan optik tradisional dalam hal faktor bentuk tipis dan ringan, pembuangan panas, dan kinerja optik. Misalnya, kacamata AR yang menggunakan lensa pandu gelombang SiC dapat mencapai bidang pandang (FOV) ultra-lebar 70°–80°, sekaligus mengurangi ketebalan lapisan lensa tunggal menjadi hanya 0,55 mm dan berat hanya 2,7 g, yang secara signifikan meningkatkan kenyamanan pemakaian dan imersi visual.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Karakteristik Utama: Bagaimana Material SiC Memberdayakan Desain Kacamata AI/AR

Indeks Bias Tinggi dan Optimasi Kinerja Optik

Indeks bias SiC (2,6–2,7) hampir 50% lebih tinggi daripada kaca tradisional (1,8–2,0). Hal ini memungkinkan struktur pandu gelombang yang lebih tipis dan efisien, sehingga memperluas FOV secara signifikan. Indeks bias yang tinggi juga membantu menekan "efek pelangi" yang umum terjadi pada pandu gelombang difraksi, sehingga meningkatkan kemurnian gambar.

Kemampuan Manajemen Termal yang Luar Biasa

Dengan konduktivitas termal setinggi 490 W/m·K (mendekati konduktivitas termal tembaga), SiC dapat dengan cepat menghilangkan panas yang dihasilkan oleh modul layar Micro-LED. Hal ini mencegah penurunan kinerja atau penuaan perangkat akibat suhu tinggi, memastikan masa pakai baterai yang panjang dan stabilitas yang tinggi.

Kekuatan Mekanik dan Daya Tahan

SiC memiliki kekerasan Mohs 9,5 (kedua setelah berlian), menawarkan ketahanan gores yang luar biasa, sehingga ideal untuk kaca konsumen yang sering digunakan. Kekasaran permukaannya dapat dikontrol hingga Ra < 0,5 nm, memastikan transmisi cahaya yang rendah rugi dan sangat seragam dalam pandu gelombang.

Kompatibilitas Properti Listrik

Resistivitas HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) membantu mencegah interferensi sinyal. HPSI SiC juga dapat berfungsi sebagai material perangkat daya yang efisien, mengoptimalkan modul manajemen daya pada kacamata AR.

Petunjuk Aplikasi Utama

Komponen Optik Inti untuk Kacamata AI/ARs

Lensa Pemandu Gelombang Difraksi: Substrat SiC digunakan untuk membuat pemandu gelombang optik ultra-tipis yang mendukung FOV besar dan menghilangkan efek pelangi.
Pelat Jendela dan Prisma: Melalui pemotongan dan pemolesan khusus, SiC dapat diproses menjadi jendela pelindung atau prisma optik untuk kaca AR, meningkatkan transmisi cahaya dan ketahanan aus.

Aplikasi yang Diperluas di Bidang Lain

Elektronika Daya: Digunakan dalam skenario frekuensi tinggi dan daya tinggi seperti inverter kendaraan energi baru dan kontrol motor industri.
Optik Kuantum: Bertindak sebagai tuan rumah bagi pusat warna, digunakan dalam substrat untuk komunikasi kuantum dan perangkat penginderaan.

Perbandingan Spesifikasi Substrat HPSI SiC 4 Inci & 6 Inci

Parameter	Nilai	Substrat 4 Inci	Substrat 6 Inci
Diameter	Kelas Z / Kelas D	99,5 mm - 100,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
Tipe poli	Kelas Z / Kelas D	4H	4H
Ketebalan	Kelas Z	500 mikron ± 15 mikron	500 mikron ± 15 mikron
Ketebalan	Kelas D	500 mikron ± 25 mikron	500 mikron ± 25 mikron
Orientasi Wafer	Kelas Z / Kelas D	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°
Kepadatan Mikropipa	Kelas Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Kepadatan Mikropipa	Kelas D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Resistivitas	Kelas Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Resistivitas	Kelas D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Orientasi Datar Utama	Kelas Z / Kelas D	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Panjang Datar Utama	Kelas Z / Kelas D	32,5 mm ± 2,0 mm	Takik
Panjang Datar Sekunder	Kelas Z / Kelas D	18,0 mm ± 2,0 mm	-
Pengecualian Tepi	Kelas Z / Kelas D	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Busur / Warp	Kelas Z	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Busur / Warp	Kelas D	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Kekasaran	Kelas Z	Polandia Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polandia Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Kekasaran	Kelas D	Polandia Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polandia Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Retakan Tepi	Kelas D	Luas kumulatif ≤ 0,1%	Panjang kumulatif ≤ 20 mm, tunggal ≤ 2 mm
Daerah Politipe	Kelas D	Luas kumulatif ≤ 0,3%	Luas kumulatif ≤ 3%
Inklusi Karbon Visual	Kelas Z	Luas kumulatif ≤ 0,05%	Luas kumulatif ≤ 0,05%
Inklusi Karbon Visual	Kelas D	Luas kumulatif ≤ 0,3%	Luas kumulatif ≤ 3%
Goresan Permukaan Silikon	Kelas D	5 diizinkan, masing-masing ≤1mm	Panjang kumulatif ≤ 1 x diameter
Keripik Tepi	Kelas Z	Tidak diizinkan (lebar dan kedalaman ≥0,2 mm)	Tidak diizinkan (lebar dan kedalaman ≥0,2 mm)
Keripik Tepi	Kelas D	7 diizinkan, masing-masing ≤1mm	7 diizinkan, masing-masing ≤1mm
Dislokasi Sekrup Ulir	Kelas Z	-	≤ 500 cm²
Pengemasan	Kelas Z / Kelas D	Kaset Multi-wafer atau Wadah Wafer Tunggal	Kaset Multi-wafer atau Wadah Wafer Tunggal

Layanan XKH: Kemampuan Manufaktur dan Kustomisasi Terintegrasi

Perusahaan XKH memiliki kemampuan integrasi vertikal dari bahan baku hingga wafer jadi, yang mencakup seluruh rantai pertumbuhan substrat SiC, pemotongan, pemolesan, dan pemrosesan khusus. Keunggulan layanan utama meliputi:

Keanekaragaman Material:Kami dapat menyediakan berbagai jenis wafer seperti tipe 4H-N, tipe 4H-HPSI, tipe 4H/6H-P, dan tipe 3C-N. Resistivitas, ketebalan, dan orientasi dapat disesuaikan sesuai kebutuhan.
Bahasa Indonesia: Kustomisasi Ukuran Fleksibel:Kami mendukung pemrosesan wafer dari diameter 2 inci hingga 12 inci, dan juga dapat memproses struktur khusus seperti potongan persegi (misalnya, 5x5mm, 10x10mm) dan prisma tidak beraturan.
Kontrol Presisi Tingkat Optik:Variasi Ketebalan Total Wafer (TTV) dapat dipertahankan pada <1μm, dan kekasaran permukaan pada Ra < 0,3 nm, memenuhi persyaratan kerataan tingkat nano untuk perangkat pandu gelombang.
Respon Pasar yang Cepat:Model bisnis terpadu memastikan transisi yang efisien dari R&D ke produksi massal, mendukung semuanya mulai dari verifikasi batch kecil hingga pengiriman volume besar (waktu tunggu biasanya 15-40 hari).

FAQ tentang Wafer SiC HPSI

Q1: Mengapa HPSI SiC dianggap sebagai material ideal untuk lensa pandu gelombang AR?
A1: Indeks biasnya yang tinggi (2,6–2,7) memungkinkan struktur pandu gelombang yang lebih tipis dan lebih efisien yang mendukung bidang pandang yang lebih besar (misalnya, 70°–80°) sekaligus menghilangkan "efek pelangi".
Q2: Bagaimana HPSI SiC meningkatkan manajemen termal dalam kacamata AI/AR?
A2: Dengan konduktivitas termal hingga 490 W/m·K (mendekati tembaga), ia secara efisien menghilangkan panas dari komponen seperti Micro-LED, memastikan kinerja yang stabil dan umur perangkat yang lebih panjang.
Q3: Apa saja keunggulan daya tahan yang ditawarkan HPSI SiC untuk kacamata yang dapat dikenakan?
A3: Kekerasannya yang luar biasa (Mohs 9,5) memberikan ketahanan gores yang unggul, membuatnya sangat tahan lama untuk penggunaan sehari-hari pada kacamata AR kelas konsumen.