Substrat daur ulang dummy wafer silikon 8 inci tipe P/N (100) 1-100Ω

Gambar Unggulan: Wafer Silikon 8 inci Tipe P/N (100) 1-100Ω Substrat daur ulang dummy

Deskripsi Singkat:

Persediaan wafer poles dua sisi yang besar, semua wafer berdiameter 50 hingga 400 mm. Jika spesifikasi Anda tidak tersedia dalam persediaan kami, kami telah menjalin hubungan jangka panjang dengan banyak pemasok yang mampu membuat wafer khusus untuk memenuhi spesifikasi unik apa pun. Wafer poles dua sisi dapat digunakan untuk silikon, kaca, dan material lain yang umum digunakan dalam industri semikonduktor.

Kirim email kepada kami

Fitur

Pengenalan kotak wafer

Wafer silikon 8 inci adalah material substrat silikon yang umum digunakan dan banyak dipakai dalam proses pembuatan sirkuit terpadu. Wafer silikon tersebut umumnya digunakan untuk membuat berbagai jenis sirkuit terpadu, termasuk mikroprosesor, chip memori, sensor, dan perangkat elektronik lainnya. Wafer silikon 8 inci umumnya digunakan untuk membuat chip berukuran relatif besar, dengan keunggulan termasuk luas permukaan yang lebih besar dan kemampuan untuk membuat lebih banyak chip pada satu wafer silikon, sehingga meningkatkan efisiensi produksi. Wafer silikon 8 inci juga memiliki sifat mekanik dan kimia yang baik, sehingga cocok untuk produksi sirkuit terpadu skala besar.

Fitur produk

Wafer silikon poles tipe P/N 8 inci (25 buah)

Orientasi: 200

Resistivitas: 0,1 - 40 ohm•cm (Dapat bervariasi dari satu batch ke batch lainnya)

Ketebalan: 725+/-20um

Kelas Utama/Pemantauan/Uji

SIFAT-SIFAT MATERIAL

Parameter	Ciri
Jenis/Dopant	P, Boron N, Fosfor N, Antimon N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> orientasi potongan sesuai spesifikasi pelanggan
Kandungan Oksigen	10¹⁹Toleransi khusus ppmA sesuai spesifikasi pelanggan.
Kandungan Karbon	< 0,6 ppmA

SIFAT MEKANIK

Parameter	Utama	Monitor/Uji A	Tes
Diameter	200±0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Ketebalan	725±20µm (standar)	725±25µm (standar) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standar)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Busur	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Membungkus	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Pembulatan Tepi	SEMI-STANDAR
Penandaan	Apartemen Semi-Flat Utama Saja, Apartemen Semi-STD Jeida Flat, Notch

Parameter	Utama	Monitor/Uji A	Tes
Kriteria Sisi Depan
Kondisi permukaan	Kimiawi Mekanis Dipoles	Kimiawi Mekanis Dipoles	Kimiawi Mekanis Dipoles
Kekasaran Permukaan	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Kontaminasi Partikel @ >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Kabut, Lubang Kulit jeruk	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Gergaji, Tanda Garis-garis	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Kriteria Sisi Belakang
Retakan, keriput, bekas gergaji, noda	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Kondisi permukaan	Terukir secara kaustik