Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci dengan Ketebalan 0,3-50 μm, Material Si/SiC/Safir

Gambar Unggulan Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci dengan Ketebalan 0,3-50 μm Si/SiC/Sapphire

Deskripsi Singkat:

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci adalah material berkinerja tinggi yang mengintegrasikan film tipis litium niobat (LN) kristal tunggal dengan substrat silikon (Si), dengan ketebalan mulai dari 0,3 μm hingga 50 μm. Substrat ini dirancang untuk fabrikasi perangkat semikonduktor dan optoelektronik canggih. Dengan memanfaatkan teknik pengikatan atau pertumbuhan epitaksial yang canggih, substrat ini memastikan kualitas kristal yang tinggi dari film tipis LN sekaligus memanfaatkan ukuran wafer yang besar (6 hingga 8 inci) dari substrat silikon untuk meningkatkan efisiensi produksi dan efektivitas biaya.
Dibandingkan dengan material LN curah konvensional, substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci menawarkan kesesuaian termal dan stabilitas mekanik yang unggul, sehingga cocok untuk pemrosesan tingkat wafer skala besar. Selain itu, material dasar alternatif seperti SiC atau safir dapat dipilih untuk memenuhi persyaratan aplikasi spesifik, termasuk perangkat RF frekuensi tinggi, fotonik terintegrasi, dan sensor MEMS.

Kirim email kepada kami

Fitur

Parameter teknis

0,3-50μm LN/LT pada Isolator
Lapisan atas
Diameter	6-8 inci
Orientasi	X, Z, Y-42, dll.
Bahan-bahan	LT, LN
Ketebalan	0,3-50μm
Substrat (Disesuaikan)
Bahan	Si, SiC, Safir, Spinel, Kuarsa

Fitur Utama

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci ini dibedakan oleh sifat materialnya yang unik dan parameter yang dapat disesuaikan, sehingga memungkinkan penerapan yang luas di industri semikonduktor dan optoelektronik:

1. Kompatibilitas Wafer Besar: Ukuran wafer 6 inci hingga 8 inci memastikan integrasi yang mulus dengan jalur fabrikasi semikonduktor yang ada (misalnya, proses CMOS), mengurangi biaya produksi dan memungkinkan produksi massal.

2. Kualitas Kristal Tinggi: Teknik epitaksial atau pengikatan yang dioptimalkan memastikan kepadatan cacat yang rendah pada film tipis LN, sehingga ideal untuk modulator optik berkinerja tinggi, filter gelombang akustik permukaan (SAW), dan perangkat presisi lainnya.

3. Ketebalan yang Dapat Disesuaikan (0,3–50 μm): Lapisan LN ultra tipis (<1 μm) cocok untuk chip fotonik terintegrasi, sedangkan lapisan yang lebih tebal (10–50 μm) mendukung perangkat RF daya tinggi atau sensor piezoelektrik.

4. Berbagai Pilihan Substrat: Selain Si, SiC (konduktivitas termal tinggi) atau safir (isolasi tinggi) dapat dipilih sebagai bahan dasar untuk memenuhi tuntutan aplikasi frekuensi tinggi, suhu tinggi, atau daya tinggi.

5. Stabilitas Termal dan Mekanis: Substrat silikon memberikan dukungan mekanis yang kuat, meminimalkan pembengkokan atau keretakan selama pemrosesan dan meningkatkan hasil produksi perangkat.

Karakteristik ini menempatkan substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci sebagai material pilihan untuk teknologi mutakhir seperti komunikasi 5G, LiDAR, dan optik kuantum.

Aplikasi Utama

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci banyak digunakan dalam industri teknologi tinggi karena sifat elektro-optik, piezoelektrik, dan akustiknya yang luar biasa:

1. Komunikasi Optik dan Fotonik Terintegrasi: Memungkinkan modulator elektro-optik berkecepatan tinggi, pandu gelombang, dan sirkuit terintegrasi fotonik (PIC), untuk memenuhi kebutuhan bandwidth pusat data dan jaringan serat optik.

Perangkat RF 2.5G/6G: Koefisien piezoelektrik LN yang tinggi menjadikannya ideal untuk filter gelombang akustik permukaan (SAW) dan gelombang akustik massal (BAW), meningkatkan pemrosesan sinyal di stasiun pangkalan 5G dan perangkat seluler.

3. MEMS dan Sensor: Efek piezoelektrik LN-on-Si memfasilitasi akselerometer, biosensor, dan transduser ultrasonik dengan sensitivitas tinggi untuk aplikasi medis dan industri.

4. Teknologi Kuantum: Sebagai material optik nonlinier, film tipis LN digunakan dalam sumber cahaya kuantum (misalnya, pasangan foton terentangle) dan chip kuantum terintegrasi.

5. Laser dan Optik Nonlinier: Lapisan LN ultra tipis memungkinkan pembangkitan harmonik kedua (SHG) dan perangkat osilasi parametrik optik (OPO) yang efisien untuk pemrosesan laser dan analisis spektroskopi.

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci yang terstandarisasi memungkinkan perangkat ini diproduksi di pabrik wafer skala besar, sehingga secara signifikan mengurangi biaya produksi.

Kustomisasi dan Layanan

Kami menyediakan dukungan teknis komprehensif dan layanan kustomisasi untuk substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 inci hingga 8 inci untuk memenuhi beragam kebutuhan R&D dan produksi:

1. Fabrikasi Kustom: Ketebalan film LN (0,3–50 μm), orientasi kristal (potongan X/potongan Y), dan material substrat (Si/SiC/safir) dapat disesuaikan untuk mengoptimalkan kinerja perangkat.

2. Pemrosesan Tingkat Wafer: Pasokan massal wafer 6 inci dan 8 inci, termasuk layanan back-end seperti pemotongan, pemolesan, dan pelapisan, memastikan substrat siap untuk integrasi perangkat.

3. Konsultasi dan Pengujian Teknis: Karakterisasi material (misalnya, XRD, AFM), pengujian kinerja elektro-optik, dan dukungan simulasi perangkat untuk mempercepat validasi desain.

Misi kami adalah untuk menjadikan substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci sebagai solusi material inti untuk aplikasi optoelektronik dan semikonduktor, menawarkan dukungan menyeluruh mulai dari penelitian dan pengembangan hingga produksi massal.

Kesimpulan

Substrat komposit LN-on-Si berukuran 6 hingga 8 inci, dengan ukuran wafer yang besar, kualitas material yang unggul, dan fleksibilitasnya, mendorong kemajuan dalam komunikasi optik, RF 5G, dan teknologi kuantum. Baik untuk manufaktur volume tinggi maupun solusi yang disesuaikan, kami menyediakan substrat yang andal dan layanan pelengkap untuk mendukung inovasi teknologi.