Tungku Pertumbuhan Kristal SiC 4 inci, 6 inci, 8 inci untuk Proses CVD

Deskripsi Singkat:

Sistem Chemical Vapor Deposition (CVD) tungku pertumbuhan kristal SiC XKH menggunakan teknologi deposisi uap kimia terkemuka di dunia, yang dirancang khusus untuk pertumbuhan kristal tunggal SiC berkualitas tinggi. Melalui kontrol yang tepat terhadap parameter proses termasuk aliran gas, suhu, dan tekanan, sistem ini memungkinkan pertumbuhan kristal SiC yang terkontrol pada substrat berukuran 4-8 inci. Sistem CVD ini dapat menghasilkan berbagai jenis kristal SiC termasuk tipe 4H/6H-N dan tipe isolasi 4H/6H-SEMI, menyediakan solusi lengkap mulai dari peralatan hingga proses. Sistem ini mendukung kebutuhan pertumbuhan untuk wafer berukuran 2-12 inci, sehingga sangat cocok untuk produksi massal elektronik daya dan perangkat RF.

Kirim email kepada kami

Fitur

Prinsip Kerja

Prinsip inti dari sistem CVD kami melibatkan dekomposisi termal gas prekursor yang mengandung silikon (misalnya, SiH4) dan yang mengandung karbon (misalnya, C3H8) pada suhu tinggi (biasanya 1500-2000°C), yang mengendapkan kristal tunggal SiC pada substrat melalui reaksi kimia fase gas. Teknologi ini sangat cocok untuk menghasilkan kristal tunggal 4H/6H-SiC dengan kemurnian tinggi (>99,9995%) dan kepadatan cacat rendah (<1000/cm²), yang memenuhi persyaratan material yang ketat untuk elektronika daya dan perangkat RF. Melalui kontrol yang tepat terhadap komposisi gas, laju aliran, dan gradien suhu, sistem ini memungkinkan pengaturan yang akurat terhadap jenis konduktivitas kristal (tipe N/P) dan resistivitas.

Jenis Sistem dan Parameter Teknis

Jenis Sistem	Kisaran Suhu	Fitur Utama	Aplikasi
CVD Suhu Tinggi	1500-2300°C	Pemanasan induksi grafit, keseragaman suhu ±5°C	Pertumbuhan kristal SiC massal
Penyakit Kardiovaskular Filamen Panas	800-1400°C	Pemanasan filamen tungsten, laju deposisi 10-50μm/jam	Epitaksi tebal SiC
VPE CVD	1200-1800°C	Kontrol suhu multi-zona, pemanfaatan gas >80%.	Produksi massal epi-wafer
PECVD	400-800°C	Peningkatan plasma, laju deposisi 1-10μm/jam	Film tipis SiC suhu rendah

Karakteristik Teknis Utama

1. Sistem Kontrol Suhu Tingkat Lanjut
Tungku ini memiliki sistem pemanas resistif multi-zona yang mampu mempertahankan suhu hingga 2300°C dengan keseragaman ±1°C di seluruh ruang pertumbuhan. Manajemen termal yang presisi ini dicapai melalui:
12 zona pemanas yang dikontrol secara independen.
Pemantauan termokopel redundan (Tipe C W-Re).
Algoritma penyesuaian profil termal waktu nyata.
Dinding ruang berpendingin air untuk pengendalian gradien termal.

2. Teknologi Pengiriman dan Pencampuran Gas
Sistem distribusi gas milik kami memastikan pencampuran prekursor yang optimal dan pengiriman yang seragam:
Pengontrol aliran massa dengan akurasi ±0,05 sccm.
Manifold injeksi gas multi-titik.
Pemantauan komposisi gas in-situ (spektroskopi FTIR).
Kompensasi aliran otomatis selama siklus pertumbuhan.

3. Peningkatan Kualitas Kristal
Sistem ini menggabungkan beberapa inovasi untuk meningkatkan kualitas kristal:
Dudukan substrat berputar (dapat diprogram 0-100 rpm).
Teknologi kontrol lapisan batas tingkat lanjut.
Sistem pemantauan cacat in-situ (penyebaran laser UV).
Kompensasi stres otomatis selama pertumbuhan.

4. Otomatisasi dan Kontrol Proses
Eksekusi resep yang sepenuhnya otomatis.
AI pengoptimalan parameter pertumbuhan secara waktu nyata.
Pemantauan dan diagnostik jarak jauh.
Pencatatan data lebih dari 1000 parameter (disimpan selama 5 tahun).

5. Fitur Keamanan dan Keandalan
Perlindungan suhu berlebih dengan tiga lapisan redundansi.
Sistem pembersihan darurat otomatis.
Desain struktur tahan gempa.
Jaminan waktu aktif 98,5%.

6. Arsitektur yang Dapat Diperluas
Desain modular memungkinkan peningkatan kapasitas.
Kompatibel dengan ukuran wafer 100mm hingga 200mm.
Mendukung konfigurasi vertikal dan horizontal.
Komponen yang mudah diganti untuk perawatan.

7. Efisiensi Energi
Konsumsi daya 30% lebih rendah dibandingkan sistem sejenis.
Sistem pemulihan panas menangkap 60% panas limbah.
Algoritma konsumsi gas yang dioptimalkan.
Persyaratan fasilitas yang sesuai dengan standar LEED.

8. Fleksibilitas Material
Menumbuhkan semua polipe SiC utama (4H, 6H, 3C).
Mendukung varian konduktif dan semi-isolasi.
Mampu mengakomodasi berbagai skema doping (tipe N, tipe P).
Kompatibel dengan prekursor alternatif (misalnya, TMS, TES).

9. Kinerja Sistem Vakum
Tekanan dasar: <1×10⁻⁶ Torr
Tingkat kebocoran: <1×10⁻⁹ Torr·L/detik
Kecepatan pemompaan: 5000 L/s (untuk SiH₄)

Kontrol tekanan otomatis selama siklus pertumbuhan
Spesifikasi teknis komprehensif ini menunjukkan kemampuan sistem kami untuk menghasilkan kristal SiC berkualitas penelitian dan produksi dengan konsistensi dan hasil yang unggul di industri. Kombinasi kontrol presisi, pemantauan canggih, dan rekayasa yang kuat menjadikan sistem CVD ini pilihan optimal untuk aplikasi penelitian dan pengembangan (R&D) serta manufaktur massal di bidang elektronika daya, perangkat RF, dan aplikasi semikonduktor canggih lainnya.

Keunggulan Utama

1. Pertumbuhan Kristal Berkualitas Tinggi
• Kepadatan cacat serendah <1000/cm² (4H-SiC)
• Keseragaman doping <5% (wafer 6 inci)
• Kemurnian kristal >99,9995%

2. Kapasitas Produksi Skala Besar
• Mendukung pertumbuhan wafer hingga 8 inci
• Keseragaman diameter >99%
• Variasi ketebalan <±2%

3. Kontrol Proses yang Tepat
• Akurasi kontrol suhu ±1°C
• Akurasi kontrol aliran gas ±0,1 sccm
• Akurasi kontrol tekanan ±0,1 Torr

4. Efisiensi Energi
• 30% lebih hemat energi dibandingkan metode konvensional
• Tingkat pertumbuhan hingga 50-200μm/jam
• Waktu operasional peralatan >95%

Aplikasi Utama

1. Perangkat Elektronik Daya
Substrat 4H-SiC 6 inci untuk MOSFET/dioda 1200V+, mengurangi kerugian switching hingga 50%.

2. Komunikasi 5G
Substrat SiC semi-isolasi (resistivitas >10⁸Ω·cm) untuk PA stasiun pangkalan, dengan rugi penyisipan <0,3dB pada >10GHz.

3. Kendaraan Energi Baru
Modul daya SiC kelas otomotif memperpanjang jarak tempuh kendaraan listrik sebesar 5-8% dan mengurangi waktu pengisian daya hingga 30%.

4. Inverter PV
Substrat dengan tingkat cacat rendah meningkatkan efisiensi konversi hingga lebih dari 99% sekaligus mengurangi ukuran sistem hingga 40%.

Layanan XKH

1. Layanan Kustomisasi
Sistem CVD 4-8 inci yang dirancang khusus.
Mendukung pertumbuhan tipe isolasi 4H/6H-N, tipe isolasi 4H/6H-SEMI, dll.

2. Dukungan Teknis
Pelatihan komprehensif tentang pengoperasian dan optimalisasi proses.
Respons teknis 24/7.

3. Solusi Siap Pakai
Layanan lengkap dari instalasi hingga validasi proses.

4. Pasokan Material
Tersedia substrat/epi-wafer SiC ukuran 2-12 inci.
Mendukung polipe 4H/6H/3C.

Perbedaan utama meliputi:
Kemampuan pertumbuhan kristal hingga 8 inci.
Tingkat pertumbuhan 20% lebih cepat daripada rata-rata industri.
Keandalan sistem 98%.
Paket sistem kendali cerdas lengkap.