Wafer Epitaksial 4H-SiC untuk MOSFET Tegangan Ultra Tinggi (100–500 μm, 6 inci)

Deskripsi Singkat:

Pertumbuhan pesat kendaraan listrik, jaringan pintar, sistem energi terbarukan, dan peralatan industri berdaya tinggi telah menciptakan kebutuhan mendesak akan perangkat semikonduktor yang mampu menangani tegangan lebih tinggi, kepadatan daya lebih tinggi, dan efisiensi lebih besar. Di antara semikonduktor celah pita lebar,silikon karbida (SiC)menonjol karena celah pita energinya yang lebar, konduktivitas termal yang tinggi, dan kekuatan medan listrik kritis yang unggul.

Kirim email kepada kami

Fitur

Diagram Terperinci

Gambaran Umum Produk

KitaWafer epitaksial 4H-SiCdirancang khusus untukAplikasi MOSFET tegangan ultra tinggiDengan lapisan epitaksial yang berkisar dari100 μm hingga 500 μm on Substrat 6 inci (150 mm)Wafer ini menghadirkan wilayah drift yang diperluas yang dibutuhkan untuk perangkat kelas kV sambil mempertahankan kualitas kristal dan skalabilitas yang luar biasa. Ketebalan standar meliputi 100 μm, 200 μm, dan 300 μm, dengan opsi kustomisasi tersedia.

Ketebalan Lapisan Epitaksial

Lapisan epitaksial memainkan peran penting dalam menentukan kinerja MOSFET, khususnya keseimbangan antarategangan tembusDanresistansi aktif.

100–200 μmDioptimalkan untuk MOSFET tegangan menengah hingga tinggi, menawarkan keseimbangan yang sangat baik antara efisiensi konduksi dan kekuatan pemblokiran.
200–500 μmCocok untuk perangkat tegangan ultra tinggi (10 kV+), memungkinkan wilayah drift yang panjang untuk karakteristik kerusakan yang kuat.

Di seluruh rentang tersebut,Kesamaan ketebalan dikontrol dalam ±2%, memastikan konsistensi dari wafer ke wafer dan dari batch ke batch. Fleksibilitas ini memungkinkan para perancang untuk menyempurnakan kinerja perangkat untuk kelas tegangan target mereka sambil mempertahankan reproduksibilitas dalam produksi massal.

Proses Manufaktur

Wafer kami diproduksi menggunakanepitaksi CVD (Chemical Vapor Deposition) mutakhiryang memungkinkan kontrol yang tepat terhadap ketebalan, doping, dan kualitas kristal, bahkan untuk lapisan yang sangat tebal.

Epitaksi CVD– Gas dengan kemurnian tinggi dan kondisi yang dioptimalkan memastikan permukaan yang halus dan kepadatan cacat yang rendah.
Pertumbuhan Lapisan Tebal– Resep proses eksklusif memungkinkan ketebalan epitaksial hingga500 μmdengan keseragaman yang sangat baik.
Kontrol Doping– Konsentrasi yang dapat disesuaikan antara1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, dengan keseragaman yang lebih baik dari ±5%.
Persiapan Permukaan– Wafer mengalamiPemolesan CMPdan inspeksi yang ketat, memastikan kompatibilitas dengan proses canggih seperti oksidasi gerbang, fotolitografi, dan metalisasi.

Keunggulan Utama

Kemampuan Tegangan Ultra Tinggi– Lapisan epitaksial tebal (100–500 μm) mendukung desain MOSFET kelas kV.
Kualitas Kristal yang Luar Biasa– Kepadatan dislokasi dan cacat bidang basal yang rendah memastikan keandalan dan meminimalkan kebocoran.
Substrat Besar 6 Inci– Dukungan untuk produksi volume tinggi, pengurangan biaya per perangkat, dan kompatibilitas pabrik.
Sifat Termal Unggul– Konduktivitas termal yang tinggi dan celah pita yang lebar memungkinkan pengoperasian yang efisien pada daya dan suhu tinggi.
Parameter yang Dapat Disesuaikan– Ketebalan, doping, orientasi, dan penyelesaian permukaan dapat disesuaikan dengan kebutuhan spesifik.

Spesifikasi Umum

Parameter	Spesifikasi
Jenis Konduktivitas	Tipe N (Doping Nitrogen)
Resistivitas	Setiap
Sudut di Luar Sumbu	4° ± 0,5° (menuju [11-20])
Orientasi Kristal	(0001) Sisi Si
Ketebalan	200–300 μm (dapat disesuaikan 100–500 μm)
Lapisan Permukaan	Depan: Dipoles CMP (siap pakai epi) Belakang: Diasah atau dipoles
TTV	≤ 10 μm
Busur/Warp	≤ 20 μm

Bidang Aplikasi

Wafer epitaksial 4H-SiC sangat cocok untukMOSFET dalam sistem tegangan ultra tinggi, termasuk:

Inverter traksi kendaraan listrik & modul pengisian tegangan tinggi
Peralatan transmisi & distribusi jaringan pintar
Inverter energi terbarukan (tenaga surya, angin, penyimpanan)
Catu daya industri dan sistem switching daya tinggi

Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)

Q1: Apa jenis konduktivitasnya?
A1: Tipe N, didoping dengan nitrogen — standar industri untuk MOSFET dan perangkat daya lainnya.

Q2: Ketebalan epitaksial apa saja yang tersedia?
A2: 100–500 μm, dengan pilihan standar 100 μm, 200 μm, dan 300 μm. Ketebalan khusus tersedia berdasarkan permintaan.

Q3: Apa orientasi wafer dan sudut off-axis-nya?
A3: (0001) Sisi Si, dengan 4° ± 0,5° di luar sumbu ke arah [11-20].

Tentang Kami

XKH mengkhususkan diri dalam pengembangan, produksi, dan penjualan teknologi tinggi berupa kaca optik khusus dan material kristal baru. Produk kami melayani elektronik optik, elektronik konsumen, dan militer. Kami menawarkan komponen optik Safir, penutup lensa ponsel, Keramik, LT, Silikon Karbida SIC, Kuarsa, dan wafer kristal semikonduktor. Dengan keahlian yang mumpuni dan peralatan mutakhir, kami unggul dalam pemrosesan produk non-standar, dengan tujuan menjadi perusahaan teknologi tinggi terkemuka di bidang material optoelektronik.