Wafer SiC Semi-Isolasi Kemurnian Tinggi (HPSI) 3 inci 350um Kelas Dummy Kelas Utama

Deskripsi Singkat:

Wafer HPSI (Silikon Karbida Kemurnian Tinggi) SiC, dengan diameter 3 inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, dirancang untuk aplikasi elektronika daya mutakhir. Wafer SiC terkenal karena sifat materialnya yang luar biasa, seperti konduktivitas termal tinggi, ketahanan tegangan tinggi, dan kehilangan energi minimal, yang menjadikannya pilihan utama untuk perangkat semikonduktor daya. Wafer ini dirancang untuk menangani kondisi ekstrem, menawarkan peningkatan kinerja di lingkungan frekuensi tinggi, tegangan tinggi, dan suhu tinggi, sekaligus memastikan efisiensi energi dan daya tahan yang lebih besar.

Kirim email kepada kami

Fitur

Aplikasi

Wafer SiC HPSI sangat penting dalam memungkinkan perangkat daya generasi berikutnya, yang digunakan dalam berbagai aplikasi berkinerja tinggi:
Sistem Konversi Daya: Wafer SiC berfungsi sebagai material inti untuk perangkat daya seperti MOSFET daya, dioda, dan IGBT, yang sangat penting untuk konversi daya yang efisien dalam rangkaian listrik. Komponen-komponen ini ditemukan dalam catu daya efisiensi tinggi, penggerak motor, dan inverter industri.

Kendaraan Listrik (EV):Meningkatnya permintaan akan kendaraan listrik menuntut penggunaan elektronika daya yang lebih efisien, dan wafer SiC berada di garis depan transformasi ini. Dalam sistem penggerak kendaraan listrik, wafer ini memberikan efisiensi tinggi dan kemampuan peralihan yang cepat, yang berkontribusi pada waktu pengisian daya yang lebih cepat, jangkauan yang lebih jauh, dan peningkatan kinerja kendaraan secara keseluruhan.

Energi terbarukan:Dalam sistem energi terbarukan seperti tenaga surya dan angin, wafer SiC digunakan dalam inverter dan konverter yang memungkinkan penangkapan dan distribusi energi yang lebih efisien. Konduktivitas termal yang tinggi dan tegangan tembus yang unggul dari SiC memastikan bahwa sistem ini beroperasi dengan andal, bahkan dalam kondisi lingkungan yang ekstrem.

Otomasi Industri dan Robotika:Elektronika daya berkinerja tinggi dalam sistem otomatisasi industri dan robotika membutuhkan perangkat yang mampu beralih dengan cepat, menangani beban daya besar, dan beroperasi di bawah tekanan tinggi. Semikonduktor berbasis SiC memenuhi persyaratan ini dengan memberikan efisiensi dan ketahanan yang lebih tinggi, bahkan di lingkungan operasi yang keras.

Sistem Telekomunikasi:Dalam infrastruktur telekomunikasi, di mana keandalan tinggi dan konversi energi yang efisien sangat penting, wafer SiC digunakan dalam catu daya dan konverter DC-DC. Perangkat SiC membantu mengurangi konsumsi energi dan meningkatkan kinerja sistem di pusat data dan jaringan komunikasi.

Dengan menyediakan fondasi yang kokoh untuk aplikasi daya tinggi, wafer SiC HPSI memungkinkan pengembangan perangkat hemat energi, membantu industri beralih ke solusi yang lebih ramah lingkungan dan berkelanjutan.

Properti

properti	Kelas Produksi	Tingkat Penelitian	Nilai Dummy
Diameter	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Ketebalan	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Orientasi Wafer	Pada sumbu: <0001> ± 0,5°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°	Pada sumbu: <0001> ± 2,0°
Kepadatan Mikropipa untuk 95% Wafer (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Resistivitas Listrik	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dopant	Tidak mengandung doping	Tidak mengandung doping	Tidak mengandung doping
Orientasi Datar Utama	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Panjang Datar Utama	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Panjang Datar Sekunder	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientasi Datar Sekunder	Permukaan Si menghadap ke atas: 90° searah jarum jam dari permukaan datar utama ± 5,0°	Permukaan Si menghadap ke atas: 90° searah jarum jam dari permukaan datar utama ± 5,0°	Permukaan Si menghadap ke atas: 90° searah jarum jam dari permukaan datar utama ± 5,0°
Pengecualian Tepi	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Busur/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Kekasaran Permukaan	Sisi C: Dipoles, Sisi Si: CMP	Sisi C: Dipoles, Sisi Si: CMP	Sisi C: Dipoles, Sisi Si: CMP
Retakan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada
Pelat Heksagonal (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Luas kumulatif 10%
Area Politipe (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi)	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 5%	Luas kumulatif 10%
Goresan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi)	≤ 5 goresan, panjang kumulatif ≤ 150 mm	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 mm	≤ 10 goresan, panjang kumulatif ≤ 200 mm
Pengelupasan Tepi	Tidak diperbolehkan dengan lebar dan kedalaman ≥ 0,5 mm	2 diperbolehkan, lebar dan kedalaman ≤ 1 mm	5 diperbolehkan, lebar dan kedalaman ≤ 5 mm
Kontaminasi Permukaan (diperiksa dengan cahaya intensitas tinggi)	Tidak ada	Tidak ada	Tidak ada

Keunggulan Utama

Performa Termal Unggul: Konduktivitas termal SiC yang tinggi memastikan pembuangan panas yang efisien pada perangkat daya, memungkinkan perangkat tersebut beroperasi pada tingkat daya dan frekuensi yang lebih tinggi tanpa mengalami panas berlebih. Hal ini menghasilkan sistem yang lebih kecil, lebih efisien, dan masa pakai operasional yang lebih lama.

Tegangan Tembus Tinggi: Dengan celah pita yang lebih lebar dibandingkan silikon, wafer SiC mendukung aplikasi tegangan tinggi, menjadikannya ideal untuk komponen elektronik daya yang perlu menahan tegangan tembus tinggi, seperti pada kendaraan listrik, sistem tenaga listrik jaringan, dan sistem energi terbarukan.

Pengurangan Kehilangan Daya: Resistansi rendah dan kecepatan peralihan yang cepat pada perangkat SiC menghasilkan pengurangan kehilangan energi selama pengoperasian. Hal ini tidak hanya meningkatkan efisiensi tetapi juga meningkatkan penghematan energi secara keseluruhan pada sistem tempat perangkat tersebut digunakan.
Keandalan yang Ditingkatkan di Lingkungan yang Ekstrem: Sifat material SiC yang kuat memungkinkan material ini berkinerja dalam kondisi ekstrem, seperti suhu tinggi (hingga 600°C), tegangan tinggi, dan frekuensi tinggi. Hal ini menjadikan wafer SiC cocok untuk aplikasi industri, otomotif, dan energi yang menuntut.

Efisiensi Energi: Perangkat SiC menawarkan kepadatan daya yang lebih tinggi daripada perangkat berbasis silikon tradisional, mengurangi ukuran dan berat sistem elektronik daya sekaligus meningkatkan efisiensi keseluruhannya. Hal ini menghasilkan penghematan biaya dan jejak lingkungan yang lebih kecil dalam aplikasi seperti energi terbarukan dan kendaraan listrik.

Skalabilitas: Diameter 3 inci dan toleransi manufaktur yang presisi dari wafer SiC HPSI memastikan bahwa wafer ini dapat diskalakan untuk produksi massal, memenuhi persyaratan penelitian dan manufaktur komersial.

Kesimpulan

Wafer SiC HPSI, dengan diameter 3 inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, merupakan material optimal untuk generasi perangkat elektronik daya berkinerja tinggi berikutnya. Kombinasi unik dari konduktivitas termal, tegangan tembus tinggi, kehilangan energi rendah, dan keandalan dalam kondisi ekstrem menjadikannya komponen penting untuk berbagai aplikasi dalam konversi daya, energi terbarukan, kendaraan listrik, sistem industri, dan telekomunikasi.

Wafer SiC ini sangat cocok untuk industri yang berupaya mencapai efisiensi lebih tinggi, penghematan energi yang lebih besar, dan peningkatan keandalan sistem. Seiring dengan terus berkembangnya teknologi elektronika daya, wafer SiC HPSI menyediakan fondasi untuk pengembangan solusi hemat energi generasi berikutnya, mendorong transisi menuju masa depan yang lebih berkelanjutan dan rendah karbon.