Wafer SiC adalah semikonduktor yang terbuat dari silikon karbida. Material ini dikembangkan pada tahun 1893 dan sangat ideal untuk berbagai aplikasi. Sangat cocok untuk dioda Schottky, dioda Schottky penghalang sambungan, sakelar, dan transistor efek medan semikonduktor oksida logam. Karena kekerasannya yang tinggi, wafer ini merupakan pilihan yang sangat baik untuk komponen elektronika daya.
Saat ini, terdapat dua jenis utama wafer SiC. Yang pertama adalah wafer poles, yang merupakan wafer silikon karbida tunggal. Wafer ini terbuat dari kristal SiC dengan kemurnian tinggi dan dapat berdiameter 100 mm atau 150 mm. Wafer ini digunakan dalam perangkat elektronik berdaya tinggi. Jenis kedua adalah wafer silikon karbida kristal epitaksial. Jenis wafer ini dibuat dengan menambahkan satu lapisan kristal silikon karbida ke permukaan. Metode ini memerlukan kontrol ketebalan material yang presisi dan dikenal sebagai epitaksi tipe-N.
Jenis berikutnya adalah beta silikon karbida. Beta SiC diproduksi pada suhu di atas 1700 derajat Celsius. Alfa karbida adalah yang paling umum dan memiliki struktur kristal heksagonal yang mirip dengan wurtzite. Bentuk beta mirip dengan berlian dan digunakan dalam beberapa aplikasi. Bentuk ini selalu menjadi pilihan pertama untuk produk setengah jadi tenaga kendaraan listrik. Beberapa pemasok wafer silikon karbida pihak ketiga saat ini tengah mengerjakan material baru ini.
Wafer SiC ZMSH merupakan material semikonduktor yang sangat populer. Wafer ini merupakan material semikonduktor berkualitas tinggi yang sangat cocok untuk berbagai aplikasi. Wafer silikon karbida ZMSH merupakan material yang sangat berguna untuk berbagai perangkat elektronik. ZMSH menyediakan berbagai wafer dan substrat SiC berkualitas tinggi. Wafer ini tersedia dalam bentuk tipe-N dan semi-terisolasi.
2---Silikon Karbida: Menuju era baru wafer
Sifat fisik dan karakteristik silikon karbida
Karbida silikon memiliki struktur kristal khusus, menggunakan struktur heksagonal rapat yang mirip dengan berlian. Struktur ini memungkinkan karbida silikon memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan ketahanan suhu tinggi. Dibandingkan dengan bahan silikon tradisional, karbida silikon memiliki lebar celah pita yang lebih besar, yang memberikan jarak pita elektron yang lebih tinggi, sehingga menghasilkan mobilitas elektron yang lebih tinggi dan arus bocor yang lebih rendah. Selain itu, karbida silikon juga memiliki kecepatan pergeseran saturasi elektron yang lebih tinggi dan resistivitas bahan itu sendiri yang lebih rendah, sehingga memberikan kinerja yang lebih baik untuk aplikasi daya tinggi.
Kasus aplikasi dan prospek wafer silikon karbida
Aplikasi elektronika daya
Wafer silikon karbida memiliki prospek aplikasi yang luas dalam bidang elektronika daya. Karena mobilitas elektronnya yang tinggi dan konduktivitas termal yang sangat baik, wafer SIC dapat digunakan untuk memproduksi perangkat switching dengan kepadatan daya tinggi, seperti modul daya untuk kendaraan listrik dan inverter surya. Stabilitas suhu tinggi dari wafer silikon karbida memungkinkan perangkat ini beroperasi di lingkungan bersuhu tinggi, sehingga memberikan efisiensi dan keandalan yang lebih baik.
Aplikasi optoelektronik
Di bidang perangkat optoelektronik, wafer silikon karbida menunjukkan keunggulannya yang unik. Material silikon karbida memiliki karakteristik celah pita yang lebar, yang memungkinkannya mencapai energi foton yang tinggi dan kehilangan cahaya yang rendah pada perangkat optoelektronik. Wafer silikon karbida dapat digunakan untuk menyiapkan perangkat komunikasi berkecepatan tinggi, fotodetektor, dan laser. Konduktivitas termalnya yang sangat baik dan kerapatan cacat kristal yang rendah membuatnya ideal untuk persiapan perangkat optoelektronik berkualitas tinggi.
Pandangan
Dengan meningkatnya permintaan akan perangkat elektronik berkinerja tinggi, wafer silikon karbida memiliki masa depan yang menjanjikan sebagai material dengan sifat yang sangat baik dan potensi aplikasi yang luas. Dengan peningkatan teknologi persiapan yang berkelanjutan dan pengurangan biaya, aplikasi komersial wafer silikon karbida akan dipromosikan. Diharapkan dalam beberapa tahun ke depan, wafer silikon karbida secara bertahap akan memasuki pasar dan menjadi pilihan utama untuk aplikasi daya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi.
3---Analisis mendalam tentang pasar wafer SiC dan tren teknologi
Analisis mendalam tentang pendorong pasar wafer silikon karbida (SiC)
Pertumbuhan pasar wafer silikon karbida (SiC) dipengaruhi oleh beberapa faktor utama, dan analisis mendalam tentang dampak faktor-faktor ini terhadap pasar sangatlah penting. Berikut ini adalah beberapa pendorong pasar utama:
Hemat energi dan perlindungan lingkungan: Karakteristik kinerja tinggi dan konsumsi daya rendah dari bahan silikon karbida membuatnya populer di bidang penghematan energi dan perlindungan lingkungan. Permintaan kendaraan listrik, inverter surya, dan perangkat konversi energi lainnya mendorong pertumbuhan pasar wafer silikon karbida karena membantu mengurangi pemborosan energi.
Aplikasi Elektronika Daya: Karbida silikon unggul dalam aplikasi elektronika daya dan dapat digunakan dalam elektronika daya di bawah lingkungan bertekanan tinggi dan bersuhu tinggi. Dengan semakin populernya energi terbarukan dan promosi transisi tenaga listrik, permintaan wafer karbida silikon di pasar elektronika daya terus meningkat.
Analisis terperinci tren pengembangan teknologi manufaktur masa depan wafer SiC
Produksi massal dan pengurangan biaya: Pembuatan wafer SiC di masa mendatang akan lebih berfokus pada produksi massal dan pengurangan biaya. Ini mencakup teknik pertumbuhan yang lebih baik seperti deposisi uap kimia (CVD) dan deposisi uap fisik (PVD) untuk meningkatkan produktivitas dan mengurangi biaya produksi. Selain itu, penerapan proses produksi yang cerdas dan otomatis diharapkan dapat lebih meningkatkan efisiensi.
Ukuran dan struktur wafer baru: Ukuran dan struktur wafer SiC dapat berubah di masa mendatang untuk memenuhi kebutuhan berbagai aplikasi. Ini dapat mencakup wafer dengan diameter lebih besar, struktur heterogen, atau wafer multilapis untuk memberikan fleksibilitas desain dan opsi kinerja yang lebih baik.
Efisiensi Energi dan Manufaktur Ramah Lingkungan: Pembuatan wafer SiC di masa mendatang akan lebih menekankan pada efisiensi energi dan manufaktur ramah lingkungan. Pabrik-pabrik yang menggunakan energi terbarukan, material ramah lingkungan, daur ulang limbah, dan proses produksi rendah karbon akan menjadi tren dalam manufaktur.
Waktu posting: 19-Jan-2024