SPC (Statistical Process Control) adalah alat penting dalam proses pembuatan wafer, yang digunakan untuk memantau, mengendalikan, dan meningkatkan stabilitas berbagai tahap dalam produksi.

1. Gambaran Umum Sistem SPC
SPC adalah metode yang menggunakan teknik statistik untuk memantau dan mengendalikan proses produksi. Fungsi utamanya adalah mendeteksi anomali dalam proses produksi dengan mengumpulkan dan menganalisis data waktu nyata, membantu teknisi membuat penyesuaian dan keputusan tepat waktu. Sasaran SPC adalah mengurangi variasi dalam proses produksi, memastikan kualitas produk tetap stabil dan memenuhi spesifikasi.
SPC digunakan dalam proses etsa untuk:
Memantau parameter peralatan kritis (misalnya laju etsa, daya RF, tekanan ruang, suhu, dan lain-lain)
Menganalisis indikator kualitas produk utama (misalnya, lebar garis, kedalaman etsa, kekasaran tepi, dll.)
Dengan memantau parameter ini, teknisi dapat mendeteksi tren yang menunjukkan penurunan kinerja peralatan atau penyimpangan dalam proses produksi, sehingga mengurangi tingkat pemusnahan.
2. Komponen Dasar Sistem SPC
Sistem SPC terdiri dari beberapa modul utama:
Modul Pengumpulan Data: Mengumpulkan data waktu nyata dari peralatan dan aliran proses (misalnya, melalui FDC, sistem EES) dan mencatat parameter penting dan hasil produksi.
Modul Bagan Kendali: Menggunakan bagan kendali statistik (misalnya, bagan X-Bar, bagan R, bagan Cp/Cpk) untuk memvisualisasikan stabilitas proses dan membantu menentukan apakah proses terkendali.
Sistem Alarm: Memicu alarm saat parameter kritis melampaui batas kendali atau menunjukkan perubahan tren, yang mendorong teknisi untuk mengambil tindakan.
Modul Analisis dan Pelaporan: Menganalisis akar penyebab anomali berdasarkan bagan SPC dan secara teratur menghasilkan laporan kinerja untuk proses dan peralatan.
3. Penjelasan Detail Bagan Kendali dalam SPC
Bagan kendali merupakan salah satu alat yang paling umum digunakan dalam SPC, membantu membedakan antara "variasi normal" (yang disebabkan oleh variasi proses alami) dan "variasi abnormal" (yang disebabkan oleh kegagalan peralatan atau penyimpangan proses). Bagan kendali umum meliputi:
Grafik X-Bar dan R: Digunakan untuk memantau rata-rata dan kisaran dalam batch produksi untuk mengamati apakah prosesnya stabil.
Indeks Cp dan Cpk: Digunakan untuk mengukur kapabilitas proses, yaitu, apakah output proses dapat secara konsisten memenuhi persyaratan spesifikasi. Cp mengukur kapabilitas potensial, sedangkan Cpk mempertimbangkan penyimpangan pusat proses dari batasan spesifikasi.
Misalnya, dalam proses pengetsaan, Anda dapat memantau parameter seperti laju pengetsaan dan kekasaran permukaan. Jika laju pengetsaan peralatan tertentu melampaui batas kendali, Anda dapat menggunakan diagram kendali untuk menentukan apakah ini merupakan variasi alami atau indikasi kerusakan peralatan.
4. Aplikasi SPC pada Peralatan Etching
Dalam proses etsa, pengendalian parameter peralatan sangat penting, dan SPC membantu meningkatkan stabilitas proses dengan cara berikut:
Pemantauan Kondisi Peralatan: Sistem seperti FDC mengumpulkan data waktu nyata tentang parameter utama peralatan etsa (misalnya, daya RF, aliran gas) dan menggabungkan data ini dengan diagram kontrol SPC untuk mendeteksi potensi masalah peralatan. Misalnya, jika Anda melihat bahwa daya RF pada diagram kontrol secara bertahap menyimpang dari nilai yang ditetapkan, Anda dapat mengambil tindakan awal untuk penyesuaian atau pemeliharaan guna menghindari dampak pada kualitas produk.
Pemantauan Kualitas Produk: Anda juga dapat memasukkan parameter kualitas produk utama (misalnya, kedalaman etsa, lebar garis) ke dalam sistem SPC untuk memantau stabilitasnya. Jika beberapa indikator produk penting secara bertahap menyimpang dari nilai target, sistem SPC akan mengeluarkan alarm, yang menunjukkan bahwa penyesuaian proses diperlukan.
Pemeliharaan Preventif (PM): SPC dapat membantu mengoptimalkan siklus pemeliharaan preventif untuk peralatan. Dengan menganalisis data jangka panjang tentang kinerja peralatan dan hasil proses, Anda dapat menentukan waktu optimal untuk pemeliharaan peralatan. Misalnya, dengan memantau daya RF dan masa pakai ESC, Anda dapat menentukan kapan pembersihan atau penggantian komponen diperlukan, sehingga mengurangi tingkat kegagalan peralatan dan waktu henti produksi.
5. Tips Penggunaan Harian untuk Sistem SPC
Saat menggunakan sistem SPC dalam operasi sehari-hari, langkah-langkah berikut dapat diikuti:
Tentukan Parameter Kontrol Utama (KPI): Identifikasi parameter terpenting dalam proses produksi dan masukkan dalam pemantauan SPC. Parameter ini harus terkait erat dengan kualitas produk dan kinerja peralatan.
Tetapkan Batas Kontrol dan Batas Alarm: Berdasarkan data historis dan persyaratan proses, tetapkan batas kontrol dan batas alarm yang wajar untuk setiap parameter. Batas kontrol biasanya ditetapkan pada ±3σ (simpangan baku), sedangkan batas alarm didasarkan pada kondisi spesifik proses dan peralatan.
Pemantauan dan Analisis Berkelanjutan: Tinjau diagram kontrol SPC secara berkala untuk menganalisis tren dan variasi data. Jika beberapa parameter melampaui batas kontrol, tindakan segera diperlukan, seperti menyesuaikan parameter peralatan atau melakukan perawatan peralatan.
Penanganan Kelainan dan Analisis Akar Penyebab: Saat terjadi kelainan, sistem SPC mencatat informasi terperinci tentang insiden tersebut. Anda perlu memecahkan masalah dan menganalisis akar penyebab kelainan berdasarkan informasi ini. Sering kali memungkinkan untuk menggabungkan data dari sistem FDC, sistem EES, dll., untuk menganalisis apakah masalah tersebut disebabkan oleh kegagalan peralatan, penyimpangan proses, atau faktor lingkungan eksternal.
Peningkatan Berkelanjutan: Menggunakan data historis yang direkam oleh sistem SPC, mengidentifikasi titik lemah dalam proses dan mengusulkan rencana peningkatan. Misalnya, dalam proses etsa, menganalisis dampak masa pakai ESC dan metode pembersihan pada siklus perawatan peralatan dan terus mengoptimalkan parameter pengoperasian peralatan.
6. Kasus Aplikasi Praktis
Sebagai contoh praktis, anggaplah Anda bertanggung jawab atas peralatan etsa E-MAX, dan katode ruang mengalami keausan dini, yang menyebabkan peningkatan nilai D0 (cacat BARC). Dengan memantau daya RF dan laju etsa melalui sistem SPC, Anda melihat tren di mana parameter ini secara bertahap menyimpang dari nilai yang ditetapkan. Setelah alarm SPC dipicu, Anda menggabungkan data dari sistem FDC dan menentukan bahwa masalah tersebut disebabkan oleh kontrol suhu yang tidak stabil di dalam ruang. Anda kemudian menerapkan metode pembersihan dan strategi perawatan baru, yang pada akhirnya mengurangi nilai D0 dari 4,3 menjadi 2,4, sehingga meningkatkan kualitas produk.
7.Di XINKEHUI Anda bisa mendapatkan.
Di XINKEHUI, Anda dapat memperoleh wafer yang sempurna, baik wafer silikon maupun wafer SiC. Kami mengkhususkan diri dalam menyediakan wafer berkualitas tinggi untuk berbagai industri, dengan fokus pada presisi dan kinerja.
(wafer silikon)
Wafer silikon kami dibuat dengan kemurnian dan keseragaman yang unggul, memastikan sifat listrik yang sangat baik untuk kebutuhan semikonduktor Anda.
Untuk aplikasi yang lebih menuntut, wafer SiC kami menawarkan konduktivitas termal yang luar biasa dan efisiensi daya yang lebih tinggi, ideal untuk elektronika daya dan lingkungan bersuhu tinggi.
(wafer SiC)
Dengan XINKEHUI, Anda memperoleh teknologi mutakhir dan dukungan yang andal, yang menjamin wafer yang memenuhi standar industri tertinggi. Pilih kami untuk kesempurnaan wafer Anda!
Waktu posting: 16-Okt-2024